并口FRAM与SRAM的比较

英尚微电子 · 发表于 2022-3-18 15:20:56

FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比，FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。今天进行并口FRAM与SRAM的比较。

并口FRAM vs SRAM

具有并行接口的FRAM与电池备用SRAM兼容，可以替代SRAM。通过用

代替SRAM，客户可以期望以下优势。

1、降低总成本

使用

的系统需要持续检查电池状态。如果用FRAM替换后，客户可以从维护电池检查的负担中解放出来。此外，FRAM不需要电池插座和防回流二极管，同时省去二者的安装空间。FRAM的单一芯片解决方案可以减少空间和成本。

免维护：无需更换电池

设备小型化：可以减少最终产品的元器件数量

2、环保产品

废旧电池会成为工业废料。通过用FRAM替换SRAM +电池，可以减少备用电池。

减少电池处理

mj8abcd · 发表于 2022-3-18 18:50:32

小鑫鑫 · 发表于 2022-3-19 09:00:21

sekisan · 发表于 2022-3-19 09:41:39

zhhuxx · 发表于 2022-3-20 09:02:32

		自动登录	找回密码
密码			立即注册

[技术文章] 并口FRAM与SRAM的比较