Everspin具有高达400MB/s的读写速度xSPI MRAM

英尚微电子 · 发表于 2022-5-30 17:19:16

MRAM 先驱Everspin Technologies其最新创新产品EMxxLX系列工业级xSPI STT-MRAM芯片，容量高达64Mb。

Everspin的新xSPI MRAM 产品系列基于扩展的串行外设接口，这是用于非易失性存储设备的最新JEDEC标准。它基于Everspin独特的工业STT MRAM技术。这些产品提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引脚数的SPI兼容总线接口，时钟频率高达200MHz。这些持久性内存MRAM设备在单个1.8V电源上运行，并通过八个I/O信号提供高达400MBps的读取和写入速度。可替代SPI NOR/NAND闪存方案的xSPI MRAM。关于更多产品相关资料及技术支持联系Everspin官方代理商英尚微电子。

开启了通用存储器应用解决方案的新时代，取代了SRAM、BBSRAM、NVSRAM和NOR设备等产品，面向工业自动化、过程控制、仿真、汽车和运输、游戏以及更广泛的工业物联网市场。

13131 · 发表于 2022-5-31 01:31:16

kekgn · 发表于 2022-5-31 06:21:03

huangchang · 发表于 2022-5-31 06:29:39

了解一下

zjy0335 · 发表于 2022-5-31 07:58:21

kxz564978637 · 发表于 2022-5-31 08:38:06

sekisan · 发表于 2022-5-31 08:46:36

brilliance · 发表于 2022-5-31 09:19:24

edwin99 · 发表于 2022-5-31 09:27:03

kevin2104 · 发表于 2022-6-2 18:18:40

		自动登录	找回密码
密码			立即注册

[最新新闻] Everspin具有高达400MB/s的读写速度xSPI MRAM

终身成就奖

特殊贡献奖

原创先锋奖

优秀斑竹奖

金点子奖

社区居民