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鸣谢:首先感谢世纪电源网给我们提供这样的机会来分享自己的设计成果,锻炼自己帮助他人,感谢专家组风雨兼程,感谢策划组一路陪伴。
前言:分享一款PD-45W手机充电器(兼容PD2.0和PD3.0,接近完工,把自己的设计思路分享给大家,希望能为那些奋战在PD快充设计的兄弟们提供一点帮助。
方案:本方案主芯片iW1799+iW657P+iW676(Dialog半导体),支持PD2.0/PD3.0/PPS/QC2.0/QC3.0/QC4.0.最大功率45W,兼容世面大多数PD手机/平板/Macbook等
原理图+PCB+测试数据+整机图片(部分已经上传),欢迎大家点赞投票,你的支持是我更新的动力!
【市场总结与前景】
手机:iPhone8,iPhonex,iPhonexr,华为Mate20,荣耀V10,三星S8/S9,小米9,坚果R1等将近100款新手机已经转移到PD3.0
电脑:戴尔灵越14,戴尔XPS,小米Air13.3-15.6,Mackbook-13.3,联想7000等等提供Typec接口,支持双向PD充电。
前景:PD协议必将统一SCP/FCP/QC2/QC3/QC4/AFC/闪充等协议,尤其是USB3.2发布后,将USB接口功率提升至110W,预计下半年到明年PD将爆发式增长,所以做充电器的你非常有必要了解PD协议。
【DEMO样品】:投票成功可以获取DEMO板(免费顺丰包邮赠送30个,截止时间:2019-03-31),索取DEMO板时,请备注收货地址和联系方式,谢谢!
【Part1】:名词解释
PD: Power Delivery Protocol 功率传输协议,PD协议不仅适用于手机,还适用于平板/笔记本电脑/手环等
PDO: Power Delivery Object 功率传送数据(行业内解释:固定电压电流)
APDO:Augmented Power Data Object, 扩展的PDO(行业内解释:电压电流可调)
PPS:Programmable Power Supply Data Object,可编程的PDO(行业内解释:电压电流可调,PPS是国内定义的,其它国家还没有)
Source: 适配器,提供能量的部分
Sink:手机/平板/电脑等,接受能量的部分
Get Source Capabilities:获取适配器PDO和APDO
CC1/CC2:TYPEC接口通讯线路
本适配器PDO介绍:PDO1: 5V/3A PDO2: 9V/3A PDO3: 11V/3A PDO4:20V/2.25A APDO1: 5.9V/3A APDO2: 16V/2.8A
【Part2】:协议层
CC1/CC2检测:手机端CC1/CC2中的一个线路会有5.1k下拉电阻,适配器加180uA恒流源,手机和适配器都可以检测到1V左右的电压,来判断是CC1还是CC2接入(因为Type-c线里边其实只有一根CC线,市面上的基本都是一根线,所以要判断是CC1还是CC2)
Source CAP广播:适配器会持续发送PDO数据10秒,手机接收到Source Cap之后会,发送GoodCRC,通讯握手成功。
【Part3】:芯片介绍
iW1799:原边控制IC(数字内核,无需环路参数调试),PFM和PWM交替以及抖频等,整机静态功耗可以做到65mW。
iW657:协议IC接收到手机电压电流需求之后通过光耦发送数字信号到初级iW1799控制IC,实现稳压稳流的目的。
iW676:同步整流IC,提升整机效率。
【Part4】:适配器图片
【Part5】:安规认证
已经取得:PD3.0(withPPS) and QC4+认证
EMI:满足FCCPart 15B / EN55032B
安全:满足IEC60950,UL1950 Class II
【Part6】:变压器设计
变压器设计:1)输出电压3.3V~20.5V,跨度非常大,会导致主MOS关断时承受的反射电压增加,所以匝比选择不能太大,本方案选择6.6(33/5)。
2)初级控制IC供电方式,本方案采用正激+反激供电的方式,解决反射电压过大导致IC失效的问题。
变压器参数:初级33匝(0.1mm*20三层绝缘线绕),次级5匝(0.25mm*15三层绝缘线绕),初级感量430uH,磁芯:RM10。三明治结构
3)计算过程按照基本的DCM反激即可,无特殊技巧。
4)磁芯必须要接地,即使是很0.1mm细的线,切记!切记!要不然EMC会差10个dB.
【Part7】:iW1799初级IC调试经验总结
1脚:Vsense 检测辅助绕组电压,原边控制。2脚:Dlink,接收次级协议IC发送的电压电流信号(数字),非模拟。
3脚:SD,关断脚,外接NTC实现过温保护。4脚:VCC供电脚, 5脚:GND。6脚:Gate驱动脚,
7脚:电流检测脚,可以加1nF滤波电容。8脚:DET检测脚,接1k下拉电阻即可
【Part8】:iW657协议IC调试经验总结
1脚:Discharge,用于输出电容放电,2脚:DRV,驱动光耦,发送信号到初级,3脚:VCC接输出电容,4脚:Det检测脚,检测SR栅极驱动信号
5脚:Vbus,接输出电容,6脚:Vbus_G驱动Vbus开关MOS管,7/8脚:CC1和CC2用于手机通讯,9/10脚:检测输出电流,一般不用
11脚:SD脚,外接NTC实现OTP功能, 12/14脚:D+/D-用于QC通讯,13脚:GND
【Part9】:iW676同步整流IC调试经验总结
1脚:接SR-MOS的漏极,起机时给IC供电,2脚:Source,接MOS管源极和4脚一起接GND,3脚:OUT接4R7电阻驱动SR-MOS
4脚:GND 5脚:内部LDO稳压输出,接2.2uF瓷片电容 6脚:Vin接Vbus电容,给IC供电,可以串联10欧姆电阻滤波
【Part10】: PCB设计相关
除了安规要求的安全距离外,我们仍然要注意:PCB对EMC和EMI的影响,PCB对ESD的影响,PCB热量分布均匀的原则。
1)初级单点接地,这个不用解释了,2)iW1799的地线和大电容的地距离尽量短,可以和辅助绕组的地距离稍微远一点,实际测出来前者EMI好一些,因为前后做了3个版本,对比出来的结果。3)MOS管散热让人头疼,夹在中间,无法安装散热片,最后不得不把散热片做成曲线式的,如图(散热片一定要接地,切记,切记)。4)变压器距离适配器外壳要保持2mm距离,确保外壳温度可以过认证。
【Part11】:传导辐射优化总结
1)增加米勒电容10pF~22PF,可以改善因dI/dt造成的EMI问题,修改栅极驱动电阻可以改善因dV/dt造成的EMI问题
2)增加高压MOS管的DS电容可以改善因漏感过大造成的EMI问题
3)变压器采用三明治绕法可以减少漏感和寄生电容,其中层与层之间增加12圈0.1mm的屏蔽层,能有效改善15MHz处的EMI问题
4)次级SR-MOS增加吸收回路,修改驱动电阻做为预留调节EMI使用
5)三明治变压器结构效果好,但是价格高,所以必须做出权衡
6)初级整流桥的GND要增加47uH 0805的磁珠,减少30MHz处的震荡
7)差模电感并联10KΩ 0805电阻,可以减少差模电感固有频率的震荡
8)冷机和热机的EMC在低频处差别较大,建议预热之后测试EMC
9)如果低频EMC超线,应首先考虑更换快速整流桥
10)Y电容可以减少共模干扰
【Part12】:ESD相关
1)Type-c接口的CC1/CC2/D+/D-一定要增加5V TVS管,防止和Vbus短路的同时也可以提高ESD能力
2)变压器次级要增加绝缘套管
3)次级协议IC要增加0.1uF陶瓷电容
4)Y电容直连整流桥时,ESD效果最佳,ESD回路最短
5)在满足安规情况下尽可能增加Y电容容量
【Part13】:老化实验总结
1)老化1000小时,其中800小时满载老化,200小时状态跳变/动态负载/开关机
2)老化治具100PCS
3)老化直通率>98%
4)老化设备最好有记录功能,记录老化时间,老化进程,当前适配器状态,负载状态,AC输入等参数,便于以后分析
【Part14】: 成本优化
【Part15】:调试工具
调试输出电压电流需要配备PD测试治具,获取方式:淘宝,PD治具。协议分析:ToTal Phase .通讯是PD电源的精华所在,分析协议也是难度
较大的地方,建议使用专业的PD协议测试工具,否则量产之后可能会出现适配器和手机/平板/笔记本不兼容的情况 |
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