意法半导体：突破20nm壁垒，打造下一代STM32

骑夫

导读：近日，意法半导体宣布推出基于 18nm 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术的先进工艺，并配备嵌入式相变存储器 (ePCM)，以支持下一代一代嵌入式处理设备。

                               
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这项由意法半导体和三星代工厂共同开发的新工艺技术，为嵌入式处理应用带来了性能和功耗的飞跃，同时允许更大的内存容量和更高水平的模拟和数字外设集成。首款基于新技术的下一代 STM32 微控制器将于 2024 年下半年开始向选定客户提供样品，计划于 2025 年下半年投入生产。


意法半导体微控制器、数字IC和射频产品部总裁表示：“作为半导体行业的领先创新者，意法半导体率先为我们的客户带来了用于汽车和航空航天应用的FD-SOI和PCM技术。我们现在正在采取下一步行动，从下一代 STM32 微控制器开始，将这些技术的优势带给工业应用开发人员。”


技术优势
与目前使用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术相比，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 极大地提高了关键品质因数：

1、性能功耗比提高 50% 以上

2、非易失性存储器 (NVM) 密度提高 2.5 倍，可实现更大的片上存储器

3、数字密度提高了三倍，可集成人工智能和图形加速器等数字外设以及最先进的安全功能

4、噪声系数改善 3dB，增强无线 MCU 的射频性能

该技术能够在 3V 电压下运行，以提供电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能。它是唯一支持此功能的 20 纳米以下技术。该技术还凭借在汽车应用中已得到验证的强大高温操作、辐射硬化和数据保留功能，提供了要求苛刻的工业应用所需的可靠性。