英特尔EMIB-T技术：更大芯片尺寸下的高密度集成

英特尔正以EMIB-T为核心，在先进封装技术领域迈出关键一步，融合了EMIB与TSV两项核心封装手段，不仅支持HBM4和UCIe等高带宽接口，还为Chiplet设计提供高密度互连能力。

通过与Cadence、西门子EDA、Synopsys等EDA巨头协作，英特尔正加速构建EMIB-T的设计工具链和生态系统。

在Chiplet正逐步走向主流的当下，EMIB-T或将成为支撑下一代高性能异构集成系统的基础。

Part 1

EMIB-T技术原理与突破：

将EMIB推向“通孔时代”

EMIB-T，即“EMIB with TSV（Through-Silicon Via）”，是在英特尔原有EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术基础上的一次关键升级。传统EMIB利用嵌入在封装基板中的硅桥，实现多颗裸晶之间的高速互连。

而EMIB-T则在硅桥中引入TSV通孔结构，使得信号可垂直穿越桥接芯片本体，实现更高密度、更短路径的垂直互连。

这种架构带来三大直接优势：

◎ 带宽提升：TSV大幅缩短互连距离，显著提升数据传输速率，能够支持HBM4等超高带宽需求；
◎ 延迟降低：桥接器内部的TSV路径比传统封装走线更短，有效降低数据通信延迟；
◎ 功耗优化：短路径低电容，有助于降低整体系统功耗，符合高性能芯片的PPA（功耗、性能、面积）优化目标。

从设计角度看，EMIB-T不再局限于简单的2.5D互连，而是向3D封装技术Foveros靠拢，使得在更大芯片尺寸下实现高密度集成成为可能，为未来异构计算平台提供灵活封装架构。

Part 2

EDA生态构建：

EMIB-T从技术原型

走向产品化的关键一步

英特尔在推广其EMIB-T技术的过程中，得到了EDA工具链的强力支持，并选择与三大EDA公司——Cadence、西门子EDA和Synopsys深度合作，旨在将EMIB-T真正推向量产级设计流程。

Cadence通过其EMIB-T封装解决方案，专注于多Chiplet架构集成，提供跨芯片间的时序、功耗、布局和互连协同设计能力，能够对多个裸晶与EMIB-T桥接器进行协同建模，从而大幅提高复杂系统的设计效率。

西门子EDA则推出了基于TSV的EMIB-T参考流程，在热分析、信号/电源完整性分析方面构建了完整的工作链条，并结合PADK（封装设计验证套件）支持设计验证，有效减少设计返工并提高良率。

Synopsys则通过其3DIC Compiler为EMIB-T构建了系统级互连模型，支持从RTL到封装集成的全流程设计，同时通过集成的仿真能力保障高频、高带宽设计的可靠性。

此外，英特尔还与Keysight EDA等厂商展开合作，进一步强化EMIB-T在不同Chiplet之间的互操作性，为生态系统的完善铺平道路。这一切表明，EMIB-T不仅是一项先进的封装技术，更是一个需要完整产业链配合的系统工程。

小结

随着Chiplet架构在高性能计算、AI加速器、数据中心SoC等领域快速普及，如何实现裸晶间的高效互连成为关键挑战。

传统的封装工艺已无法满足对带宽、密度和能效的极致追求。英特尔的EMIB-T正是在这一背景下诞生的技术突破。EMIB-T不仅保留了EMIB在2.5D封装中的灵活性，又融合了Foveros的TSV垂直互连能力，是一次从物理结构到EDA流程全面升级的尝试，将推动Chiplet从“实验室样机”走向“可规模化部署”的新阶段。

随着UCIe等通用标准的成熟，EMIB-T或将成为跨厂商、跨芯粒之间互联的“基建”，从而推动整个Chiplet产业链走向标准化、生态化发展。在先进封装日益主导芯片设计的今天，EMIB-T无疑将是值得关注的“底层引擎”。