关于Track中的COT,这一篇足够了！！

一.Coating Recipe的组成部分

先帮大家梳理一下Coating recipe的构造，如果现在的你是光刻人，那么请想一想，看看自己能不能答对呢？

好了，言归正传！Coating Recipe大致分为四个部分,第一个部分叫做Pre-Wet；第二个部分叫做Dispense；第三部分叫Casting；第四部分叫做Edge-Bead-Removal。

1）Pre-Wet

通过RRC Nozzle将管路中的RRC(Resist Reduce Coating)，一般为ok73,化学成分PGMEA，不知道的参考一下我前面讲的光刻化学品文章。光刻化学药剂整理，那么Pre-Wet的作用是什么呢？那么就如其名了，用来节省光阻的喷量，晶圆在旋涂光阻之前，先在晶圆衬底旋涂RRC，这样光阻更容易在晶圆表面铺展开。简单说一下原理，就是稀释光刻胶，兄弟们，要知道光刻胶中绝大部分成分都是高分子的树脂呀，它在衬底的润湿性很差的，PGMEA能够很好地溶解树脂，稀释了光刻胶，降低了表面张力，所以光刻胶容易铺展开。下面给来了一张特写。

Recipe如何编制呢？来看

这个表格有必要给大家说一下,前四列主要是描述chuck吸附晶圆后，晶圆的转速，加速度等；中间的Disp Link一些子recipe，主要是一些溶剂，光阻，B-Rinse，一般情况下洗边成分跟RRC一样都为PGMEA.右边是Arm1、Arm2的一些参数设置，主要就是一定位置，跟移动速度。

这么一讲大家觉得很简单吧！

想到以前在高校听讲课，就一个表格往这一放，然后PPT一念，细节根本不介绍，所以有好多人听不懂。这个不怪学生，学生听不明白，一大部分原因是老师造成。我以前也给好多人讲过课，反正学生对我的评价是，xxx老师讲课很简单，讲课也没那么枯燥，因为我老给他们讲段子，然后再讲主要的，现在发现会讲段子的老师才是好老师呀 。

       注意一下图中Arm1

Step1~4完成RRC的过程，

下面

简单说一下每一步：

Step1：P1为事先定义的Arm位置，首先移动Arm1到wafer center；

Step2：这一步是RRC Nozzle滴Solvent（PGMEA,OK73 EBR7030），都是这个东西；

Step3、Step4：晶圆静置一小秒，然后晶圆以一定速度旋转。

（后面的工艺Step这些细节不再描述，大家自己看，都比较简单。）

1个多小时过去了Pre-Wet才刚说完！ 细心的人可能会发现Disp一栏中还有Damper。对了，他就是控制coater内排风的一个小结构，参数设置只有open，close，主要是控制Coter 中不同spin speed下的排风。

2）Dispense

Dispense是什么呢，在这个过程中光阻从Nozzle滴到晶圆表面，并旋涂开的一段loop。来个特写，文字表述可能你们没什么概念。

从这个表格中来看Dispense的过程主要是第5~6步骤，主要包含了滴胶的过程以及reflow的过程。但从我这，您们应该理解到Dispense的一个动作就是甩胶过程，以及想办法如何甩好的过程，并不局限于表格中的步骤，理解到这，您就理解到了本质。我相信，这个方面山东人民是最专业的！另外一定要灵活！ 见过厚光刻胶吗？膜厚几十微米到百微米的？我相信，很多光刻人做的不如山东人民好！

Reflow值得详细讲一下，Reflow的转速以及时间会影响光刻胶的膜厚Profile以及膜厚的均匀性，还值得注意的是，Reflow设置上不一定局限一步，可以设置多步，我们设置此步骤的核心是使得光刻胶更好地匀开，了解目的后，我们才能把Reflow的工艺做好。

3）Casting

Casting的过程就是形成 一定厚度的膜厚的过程，也是光刻工艺中很重要的技能。膜厚与转速的关系是反比，膜厚调节的最初是参考数据来自光刻胶厂商的TDS，参考Spin Curve。在实际生产中，量产工程师对膜厚的调节，主要参考SPC THK Chart进行maintain的。

从这个表格来看主要是Step7、Step8过程。Step7时间较长，主要是匀胶，这一步是形成特定膜厚最主要的过程。

4)Edge-Bead-Removal

EBR的实现，是通过Arm2在晶圆边缘往复喷淋EBR溶液来实现的，EBR洗边根据制程需要进行设定，EBR洗边一个目的是使涂有光刻的晶圆露出边缘，另外一个目的就是将边缘的光刻胶去掉一部分，防止光刻胶留到晶片下面造成沾污。

在这个工艺过程中，常常辅以Backside rinse一并进行清洗，比较简单。在图表中以Step9~Step11来实现EBR过程。

最后的Step12，Step13是一个晶圆选择进一步干燥（一些背洗、以及EBR的甩干）以及退片的过程。