EVG延续在高真空晶片键合工艺技术上的领导地位

gaoxiuzhang

EVG集团是一家为微电子机械系统、纳米技术以及半导体市场提供晶片键合以及光刻技术设备的全球领先供应商。2015年3月16日在奥地利的圣弗洛里安，EVG集团现为全自动高真空共晶键合设备的EVG

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580 ComBond

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系列推出了两款新的配置。根据大学、研究所和批量生产商的不同需求，这两款配置能够在室温下实现不同晶格常数和不同热膨胀系数的材料导电的无氧化键合。

EVG

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系列在支持材料性质不同并且需要在室温下键合的应用包括：先进工程基底、功率器件、堆叠结构太阳能电池以及硅光子学等的一些新兴技术。

新配置的详细介绍：

适用于大学和研究所的入门级EVG

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580 ComBond

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系列可配置一个卡盒或者手动装载异或者一个单臂的机械手，最多可配置三个工艺模块。适用于大批量生产的EVG

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580 ComBond

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系列可配置两个卡盒或一个可连续操作最多可支持4个卡盒的设备前端模块，同时也可支持将产能最大化的双臂机械手，最多可配置6个卡盒。

这些新的EVG

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580 ComBond

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配置，包括标准配置都配备多达5个工艺模块，组成的模块化平台可支持最大直径为200毫米的晶圆片。另外，对于配备的单个或多个键合腔体，都有专门的共晶键合激发模块(CAM)，CAM利用电子激发在晶圆片表面形成一层电子层来达到无污染无氧化的键合界面。该平台在高真空加工环境下运行，其基准压力控制在5 x10

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毫巴这一范围内，以防止处理过的晶片在开始键合之前就再次氧化。

“EVG580 ComBond平台有五个模块配置，于去年秋天开始推出，现已与多个研发合作伙伴和客户共同证明了其功能。”EVG集团企业产品管理主管Thomas Glinsner博士说道：“现在有了三个模块配置，可令大学及更小型的研发机构也能使用这项突破性技术。大学与更小型的研发机构常处于开创先进电子材料及设备研究的前锋，如硅光子学的复合半导体异构集成技术，及其它尖端应用程序。所有ComBond平台可进一步进行量身改造，解决应用发展需要，如有了特殊计量模块就可利用真空处理自由端口。”

编者注：

将不同性能的材料结合起来生产电子设备，载流子迁移率增高，可制造出性能更好的设备，也能使用材料的新功能，如通过硅散发的光能可使用光学互连与路由器。然而，用传统的外延生长过程结合材料，由于晶格常数和热膨胀系数之间的差异，晶体会发生位错，反会降低材料性能。将每份半导体材料单独融合于优化增长底物上，再通过晶圆键合结合起来，以上问题都能得到缓解。使用室温共价连接器可免除退火，不会在高温加热时因热膨胀系数失配而增加多余的压力。因此，室温共价连接器是材料整合的理想选择。室温共价连接器也有较大的限制，即无法维持严格控制键合接口层的密度与一致性，也无法有效去除颗粒污染物与自然氧化膜，但复合材料之间须有一个足够粘合强度和电导率的接口，然而，颗粒污染物与自然氧化膜都将影响接口的粘合强度和电导率。EVG580ComBond正好能弥补室温共价连接器的缺点。

EVG®580ComBond®自动化高真空晶圆键合系统的俯视图。集成集群系统能够实现完全自动化的晶片输送，处理和在高真空中的加工。

EVG®580 ComBond®自动化高真空晶圆键合系统的前视图。EVG®580 ComBond®提供不同材料特性基板的常温结合，EVG®580 ComBond®可理想的应用到先进的工程衬底，功率器件，层叠太阳能电池和硅光子。