台积电工艺线路图：16纳米防守，10纳米反击

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晶圆

代工大厂台积电(TSMC)近日宣布将推出精简型、低功耗版本的16纳米Fin

FET

工艺，并公布其更先进纳米工艺技术蓝图；台积电预定自今年中开始量产最新的16纳米FinFET Plus (16FF+)工艺，并在2016年展开 10纳米工艺生产。

在20纳米

芯片

正式量产之后，台积电宣布于2015年中开始量产 16FF+ 工艺，该公司并表示采用此新工艺的芯片性能可提升10%，功耗能比20纳米芯片低50%，周期时间(cycle time)则是20纳米芯片的两倍。台积电共同执行长刘德音(

Mark

Liu)并在于美国硅谷举行的年度技术大会上表示，该公司新工艺到今年底将有超过50款芯片投片(tape-out)，包括应用

处理器

、绘图处理器(GPU)以及汽车、网络处理器。

“我们正处于一个关键时期──今日我们不只要推动各自公司的成长，还要推动对以往不存在之新公司的搜寻；”刘德音表示：“我们的消费性产品周期改变不多，改变的是产品设计与技术开发的节奏，在相同的时间框架之下，有越来越多工作必须要完成。”

刘德音指出，台积电已经与ARM合作进行Cortex-A72处理器核心的开发，利用 16FF+ 工艺让其性能达到Cortex-A15的3.5倍，而功耗则减少了75%；他并指出，台积电与ARM将继续在下一个工艺节点进行合作。

台积电也开发了精简型(

compact

)版本的16纳米FinFET工艺，命名为16FFC，锁定中低端

智能手机

、消费性

电子

产品与穿戴式装置使用；该工艺能将功耗降低超过50%，达到0.55伏特，预计在2016下半年开始产品投片。

“在16FF与16FF+方面，已经在成本上有一些明显的挑战，我们预期每闸成本也会升高；”市场研究机构International Business Strategies执行长Handel Jones表示：“我认为他们已经藉由16FFC工艺承认了这一点，16FFC将会获得不少青睐，特别是因为他们能提供低功耗版本。”

长时间以来台积电与三星(

Samsung

)一直在16/14纳米节点相互竞争──台积电的16纳米工艺与其他同业的14纳米工艺性能相近，而三星则是在今年度的世界移动通讯大会(MWC)期间宣布其Galaxy S6智能

手机

将采用14纳米芯片。台积电的主管不愿意对市场竞争多做评论，而最后谁是赢家，从芯片产量可见分晓。

“三星声称他们已经开始量产(14纳米工艺)，但我们还没看到任何实际产品；”International Business Strategies的Jones提到了Exynos芯片：“如果三星现端段确实开始大量生产，他们就领先了台积电。”

wtliu

台积电的半导体工艺看来已经是世界领先了。