世界首家！ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

mark83136 · 发表于 2015-6-25 12:06:54

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全球知名半导体制造商ROHM近日于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
　　另外，此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品，目前已建立起了完备的功率模块产品的量产体制。前期工序的生产基地为ROHMApolloCo.,Ltd.（日本福冈县），后期工序的生产基地为ROHM总部工厂（日本京都市）。今后计划还将逐步扩充产品阵容。

chen · 发表于 2015-6-26 08:25:55

进步了

wtliu · 发表于 2015-6-26 08:45:33

电源行业的好消息。

dragon_ntpcb · 发表于 2015-6-26 08:54:24

利好消息啊

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世界首家！ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

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