英特尔和美光明年推新型芯片 速度提升千倍

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腾讯科技讯 7月29日，国外媒‍‍体报道称，英特尔和美光科技宣布新型‍‍‍‍‍内存芯片，这种芯片可以大幅提升计算机、智能手机和其他高科技产品的性能。
两家公司表示，这种芯片比目前多数移动设备采用的NAND闪存芯片快1,000倍，而存储容量是主流电子设备采用的DRAM（动态随机存取存储器）的10倍多。英特尔和美光计划于明年推出新型内存芯片。
英特尔和美光透露，这项技术称为“3D Xpoint”。虽然速度无法与DRAM相提并论，但与DRAM芯片不同，即使在断电情况下，新型芯片依然可用保留数据（与NAND芯片相似）。
‍‍‍‍‍英特尔和美光高层预计，新型芯片拥有极快的运行速度，这个优势可以催生出新式应用，并让其他领域受益，尤其是那些分析海量数据的领域，例如语音识别、金融诈骗检测和基因组学。
美光首席执行官马克·德肯(Mark Durcan)表示：“这真是一场革命。”
近年来，很多公司宣称自己在内存芯片领域取得巨大进展。因此，业界可能会激烈争辩新型内存技术的重要性。
初创公司Crossbar战略营销和商业发展副总裁沙利文·杜布瓦（Sylvain Dubois）表示，英特尔和美光似乎效仿了Crossbar的电阻式RAM技术。“它们的技术与我们非常像。”他说。
Everspin Technologies等公司认为，在DRAM级运行速度和持久数据存储芯片领域，它们已经取得领先。
从2006年开始，英特尔就与美光合作。美光同样生产DRAM芯片。最近有报道称，紫光集团计划斥资230亿美元收购美光。美光尚未对此发表评论。


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市场研究机构IDC预计，今年全球内存市场规模达785亿美元。由于在缩小内存电路大小方面存在技术障碍，内存制造商一直寻求突破。英特尔、美光等NAND芯片制造商已经表示，它们已经不再追求这个目标，转而在芯片中堆积电路。
英特尔和美光没有公布3D Xpoint技术细节，包括新型芯片所采用的主要材料。但它们表示，新型芯片以特有的方式存储数据。此外，这种存储方式可以单独管理数据存储单元。
英特尔高级副总裁罗伯·克雷科（Rob Crooke）表示：“很多人认为这种技术不可能实现。”
根据初步计划，英特尔和美光将生产可存储128Gb数据的双层芯片，存储容量与部分NAND芯片相当。双方还计划通过堆积更多的电路，进一步提升存储容量。
芯片客户倾向于选择多家供应商同时提供的产品，如果一条产品线存在技术问题或生产问题，芯片客户可以选择其他产品线，从而减低风险。英特尔和美光将于今年底投产新型芯片样品，但双方计划单独控制这项技术。这项举措可能阻碍新技术发展。

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