惠普闪迪研发新存储芯片速度为闪存1000倍

jiqimao12448 · 发表于 2015-10-9 23:24:25

北京时间10月9日消息，据《华尔街日报》网络版报道，惠普和SanDisk周四宣布，双方正合作开发一种新型存储芯片。存储芯片是电脑和其它设备的基础构件，越来越多的公司寻求改进它的性能，惠普和SanDisk是最新加入这一竞争领域的两家公司。

惠普与闪迪合作开发新闪存芯片

惠普和SanDisk预计，新型芯片的处理速度是闪存的1000倍。闪存目前已经被广泛用于智能机中，并快速被企业数据中心采用。双方称，新芯片还将以极低的成本取代目前广泛使用的DRAM内存芯片。
惠普是大型电脑供应商，SanDisk则开发存储芯片，他们和其他多家公司一道寻求以新式高性能技术，颠覆规模达到785亿美元的存储芯片市场。
惠普和SanDisk寻求实现的目标与英特尔、美光在7月底宣布的计划类似。英特尔和美光此前宣布开发出了一种名为3D Xpoint的新存储技术，处理速度是闪存的1000倍。
企业如果想短期存储数据，一般会选择价格相对高昂的技术，比如DRAM内存芯片和整合在微处理器中的SRAM电路，它们的传输速度快，但断电后会丢失数据；对于长期存储数据来说，磁盘和闪存芯片速度慢，但存储成本要远低于DRAM等芯片