三星/SK海力士/美光10nm DRAM战2016开打

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三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）等DRAM主要制造公司，皆将在2016年开始量产18纳米（1x） DRAM，18纳米制程也是目前已知DRAM生产制程的最高阶技术。
据Digital Times报导，日前业界消息指出，如果预定进度不变的话，三星和SK海力士预计将在2016年下半开始正式量产18纳米DRAM。众所周知目前DRAM 微缩制程的极限是18纳米，在达成18纳米DRAM量产之后，三星和SK海力士将使用ASML正在研发的极紫外光（EUV）设备，到2020年再进一步将 制程推进至10纳米以内等级。
DRAM市场的第三名美光为了对抗三星电子和SK海力士，也提出了大规模的 投资计划。美光为了要量产超高速DRAM，表示将在日本广岛工厂一年内投资约8.36亿美元，计划中广岛工厂将进行比目前20纳米生产力更高出 20~30%的16纳米制程DRAM的量产，使得三星和SK海力士进入紧张状态。
但是业界却对于美光16纳米制程抱持着怀疑的看法，首先为了突破目前20纳米制程的界限，需要改变DRAM生产过程中介电层（dielectric film）设计，也得改成使用比原本分子结构更细密的原子结构的物质，所以需要改变设计，但目前美光还没有这方面技术。
另外为了进入16纳米制程，也需要每台喊价到8，700万美元的极紫外光（EUV）设备，以美光目前的8.36亿美元投资规模，恐怕是不太容易做到，而且ASML一年也只能制造出7~8台极紫外光设备而已。
三星电子目前计划将在2016年下半开始进入18纳米DRAM，从2016~2020年为止，顺序将以18纳米、15纳米、10纳米等为目标，逐渐微缩DRAM的线距。
原本18纳米制程技术改良之后，利用全新方式的技术会更有利，可是如果极紫外光设备的商用化延迟，也可能会进入跟过去25纳米以后难突破进一步微缩，出现如同2012年类似的停滞期。
SK海力士最近也在加速转换DRAM的微缩制程，从25纳米后将近2年没有进展的SK海力士，也在第3季成功地进入了20纳米制程，计划将在2016年上半开发出18纳米DRAM，快的话将从下半年开始进入量产。
业界相关人士表示，三星电子在20纳米级的DRAM部分，虽然与竞争业者维持了最少一年以上的差距，但是10纳米级开始，预料又会是全新的竞争局面。