3D NAND和10纳米技术驱动晶圆厂增加半导体设备投资

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3D NAND Flash与10纳米技术将驱动晶圆厂加码设备投资。应用材料（Applied Materials）预估2016年晶圆厂设备支出相对于2015年将呈现持平表现，但仍有潜在的上升空间，包括存储器厂商扩增3D NAND Flash产量与10纳米技术发展加温，皆可望带动相关设备需求与投资，预计下半年将有五成以上的投资集中于10纳米技术。
应用材料集团副总裁暨台湾区总裁与全球半导体业务服务群跨区域总经理余定陆表示，2015年看到这四年以来晶圆代工的资本支出进入谷底，预估今年投资水位有 望提升，而大部分支出将发生在下半年，其中有五成以上将集中于10纳米技术；对晶圆代工来说，10纳米不同于16纳米，最显着变化在于鳍式场效电晶体 （FinFET）和导线技术能改善元件性能和功耗。
余定陆进一步指出，存储器制造商在电晶体过渡到3D NAND面临非常大的压力。存储器厂商在加速3D NAND技术量产时，投资一定会比前一年增加。由于研发成本非常的高，存储器厂商与设备供应商的合作也将更加紧密，通常都会提早2至3年开始合作，否则无 法做出成品。
另一方面，余定陆透露，半导体厂商对于蚀刻（Etch）和化学机械研磨（CMP）技术需求很高，他表示，应材在2015年半导体设备的订单与营收达到自2007年以来的新高，其中蚀刻、化学气相沉积（CVD）、化学机械研磨等产品所贡献的营收都创下近年来的新高点。
整体而言，余定陆认为今年半导体设备供应仍有成长空间。虽然智慧型手机出货量的成长放缓，高端手机竞争激烈，使得半导体厂商面临巨大的压力，但半导体商仍须运用设备来制造先进的晶片，增添手机新功能，提供产品差异化。因此，依旧看好对于晶圆代工设备的资本支出。