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[最新新闻] 谁能打破DRAM存储器的三足鼎立格局?

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发表于 2016-5-1 11:31:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
本月,三星电子宣布实现10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产,再次拉大与“三国杀”剩下两个玩家——SK海力士和美光的差距。“简单的来说,目前SK海力士与美光的工艺差距分别已经相差一年及二年了。”集邦科技DRAM首席分析师郭祚荣告诉记者。
本文引用地址:
http://www.eepw.com.cn/article/201604/290480.htm  这也许会带来相应市场格局的变化。三星一直维持着对于另两大DRAM厂商在市场份额和技术水平的双重领先优势。此次Bernstein Research甚至悲观预测,三星下手太狠,想把DRAM市占率提高至近50%,未来三星可能是DRAM产业的唯一幸存者。




  三星早已成为DRAM行业的领头羊
  DRAM价格下跌三星获利
  近两年来,由于需求不振,DRAM市场价格持续走低。根据市场调研机构IHS的数据,2015年全球DRAM市场规模由462.46亿美元萎缩至450.93亿美元。
  郭祚荣预测,2016年DRAM市场的供过于求预估为5.7%,DRAM的价格预估仍然会一路下跌。此前,南亚科总经理李培瑛曾估计,如果主要厂商仍然有明显扩产,那么今年DRAM价格将跌25%~40%。
  这是因为新的需求增长缺失,而随着工艺的进步产出却必然扩大。Gartner研究总监盛陵海向《中国电子报》记者指出,目前大量需求DRAM的新应用比如VR、AI等,在三年内仍然不会形成可以与PC、智能手机相提并论的市场。
  在DRAM价格的持续下跌声中,三星DRAM业务在2015年的营收却仍然实现同比增长9.5%,首次突破200亿美元大关。其市占率也在不断提升,达到了45.3%。
  这缘于三星远高于竞争对手的制程工艺所带来的优势。工艺好,成本就会低。只要工艺的提升速度快过跌价,还是可以赚钱,反之就是亏钱。
  目前,三星在制程工艺上已经领跑不止一个身位了。据记者了解,三星DDR4记忆体早在2015年进入20奈米制程的成熟期,70%的产能已经升级到20nm工艺节点。近期,三星又宣布10nm级别工艺的DRAM量产,同类型产品比20nm工艺性能提升30%,同等频率下功耗降低10~20%。
  记者了解到,三星的10nm级别工艺指的正是18nm工艺,是20nm工艺的微缩,仅是小改版,而其真正的13nm工艺将于明年推出。外媒报道称苹果很可能成为三星18nm DRAM的订单拥有者之一。
  相比较而言,SK海力士的主力工艺制程是25nm,在去年第四季度正式导入21nm制程,目前正在积极转进21nm,并将于明年推出18nm工艺DRAM。美光的主力工艺制程是30nm和25nm,虽然也在去年第四季度大幅转进20nm制程,但量产不代表投片多,也不代表良率好,因此美光目前仍在20nm制程节点努力。
  由于工艺制程的领先优势,郭祚荣向《中国电子报》记者指出,三星生产DRAM的成本可以比其他两家低20%~30%,而且目前来看趋势不容易扭转。而美光的成本最高,大概比SK海力士要高出10%~15%。
  海力士、美光与三星的工艺差距分别已经相差一年及二年,成本差距也巨大,这奠定了三星在DRAM市场中一霸的地位。
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