3D XPoint由英特尔和美光合作研发及生产,延迟水平以纳秒计算,这远超NAND Flash以微秒计算的延迟水平,除性能指标大幅提升之外,耐用性也将提高1000倍,这也就意味着当前困扰NAND Flash的写入性能下降和闪存耐久度问题将得到解决。此外,Rob Crooke表示,存储密度将比DRAM提高10倍,将在2016年美国犹他州Lehi的英特尔/美光联合工厂生产。
英特尔公司资深副总裁兼非易失性存储器(NVM)解决方案事业部总经理Rob Crooke表示:"现已投入生产的3D XPoint技术是存储器制程技术的一项重大突破,也是自1989 年NAND闪存推出至今的首款基于全新技术的非易失性存储器。"
英特尔方面表示,这一技术的研发周期已经超过十年,该技术能够以较低成本满足用户在非易失性、高性能、高耐用性和高容量方面对存储与内存的需求。更为关键的是,它开创了一种可显著降低延迟的新型非易失性存储器,使得在靠近处理器的位置存储更多数据成为可能,并以此前的非易失性存储无法达到的速度来访问更多数据。 3D XPoint技术架构的情况包括:
o 交叉点阵列结构--垂直导线连接着1280亿个密集排列的存储单元。每个存储单元存储一位数据。借助这种紧凑的结构可获得高性能和高密度位。
o 可堆叠--除了紧凑的交叉点阵列结构之外,存储单元还被堆叠到多个层中。目前,现有的技术可使集成两个存储层的单个芯片存储128Gb数据。未来,通过改进光刻技术、增加存储层的数量,系统容量能够获得进一步提高。
o 选择器--存储单元通过改变发送至每个选择器的电压实现访问和写入或读取。这不仅消除了对晶体管的需求,也在提高存储容量的同时降低了成本。
o 快速切换单元--凭借小尺寸存储单元、快速切换选择器、低延迟交叉点阵列和快速写入算法,存储单元能够以高于目前所有非易失性存储技术的速度切换其状态。
Mark Durcan,美光公司CEO,在正式发布活动中强调:"新的技术与现有美光SSD中使用的3D NAND Flash技术完全不同,请大家不要将两者混淆,3D XPoint是一个完全新型的闪存。"
XPoint 如今已经在生产线上生产,英特尔方面表示,将在今年晚些时候提供给少量特定客户进行测试,并在2016年提供正式可用出货,其产品将横跨消费级与企业级市场,在服务器、存储、工作站、PC(特别是游戏领域)提供相应的产品以极大的改善用户体验。