SiC MOSFET技术提高了功率转换的开关频率

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在下周于德国纽伦堡举办的PCIM之前，英飞凌科技公司推出一项碳化硅（SiC）MOSFET技术，能够让产品设计实现前所未有的电源密度和性能。CoolSiC MOSFET可为功率转换节约空间和重量，降低冷却要求，提升可靠性，削减系统成本。

功率转换方案可在3倍或更多倍于当前开关频率的频率下运行。优势是减少了磁性元件和系统外壳所用的铜和铝材料，从而实现了更小巧、更轻便的系统。

1,200V SiC MOSFET具有“基准”动态损耗，比1,200V硅IGBT低一个数量级。它最初支持光伏逆变器、不间断电源（UPS）或充电器/存储系统等应用内的系统改进，而后来的配置还将支持工业驱动器。

这些MOSFET与通常用于驱动IGBT的+15/-5V电压兼容。他们结合了4V额定基准阈电压（Vth）和目标应用所需的短路稳健性与完全可控的dv/dt特性。与Si IGBT替代产品相比，其优势包括温度独立开关损耗和无阈电压通态特性。

首款

分立式1200V CoolSiC MOSFET

具有仅45mΩ的额定导通电阻（RDS（ON））。它们提供3种4引脚TO-247封装，面向光伏逆变器、UPS、电池充电和能量存储应用。

这2款器件均可用于同步整流方案，由于整合了反向恢复损耗接近于零的体二极管。4引脚封装包含一个额外的电源（Kelvin）连接，可以用作栅极驱动电压的基准电位。通过消除源极电感导致的电压降的影响，进一步降低了开关损耗，特别是在开关频率较高的情况下。

该公司还发布了推出基于

SiC MOSFET技术

的1,200V Easy1B半桥和升压模块。结合PressFIT连接与良好的热界面、低杂散电感和稳健的设计，每个模块都可以提供11和23mΩ的额定RDS（ON）选项。

计划2016年下半年发售样品，2017年投入量产。

PCIM 2016期间，敬请莅临英飞凌展台 - 9号馆412展台。