Vishay的新型650V高速体二极管MOSFET提高了电压余量，为工业

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Vishay Intertechnology公司今天推出新型650V EF系列器件，扩大了其高速体二极管N沟道功率MOSFET的阵容。Vishay Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF充实了公司的600V产品系列，为工业、电信和可再生能源应用提高了电压余量。

今天发布的650V高速体二极管MOSFET基于E系列超结技术，反向恢复电荷（Qrr）比标准MOSFET低10倍。这样，这些器件就能更快速地阻断击穿电压，有助于避免击穿和热过载引发的故障，提高零电压开关（ZVS）/软开关拓扑的可靠性，例如相移电桥、LLC转换器和三级逆变器。

21A SiHx21N65EF提供5种封装选项，而28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF则别提供2种封装选项。这些器件分别具有低至157mΩ、102mΩ和95mΩ的低导通电阻，以及超低栅极电荷。这些数值意味着传导和开关损耗极低，从而能够为大功率高性能开关模式应用节约能量，包括太阳能逆变器，服务器和电信电源系统，ATX/Silver box PC SMPS，焊接设备，UPS，电池充电器，外部电动汽车（EV）充电站和LED、高强度放电（HID）与荧光镇流器照明。

这些器件旨在承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些MOSFET符合RoHS指令，无卤素。

器件规格表：

产品编号	RDS(ON) (m) @ 10V（最大值）	Qg (nC) @ 10V（典型值）	ID (A) @ 25 ℃	Qrr (C) @ 25 ℃ （典型值）	封装
SiHA21N65EF	180	71	21	1.2	细引线TO-220 FullPAK
SiHB21N65EF	180	71	21	1.2	D2PAK (TO-263)
SiHG21N65EF	180	71	21	1.2	TO-247AC
SiHH21N65EF	157	68	21	0.9	PowerPAK [(R)] 8x8
SiHP21N65EF	180	71	21	1.2	TO-220AB
SiHG28N65EF	102	97	28	1.1	TO-247AC
SiHP28N65EF	102	97	28	1.1	TO-220AB
SiHG33N65EF	95	114	33	1.18	TO-247AC

现已开始供应新型650V EF系列MOSFET的样品，并已投入量产，大宗订单的交货周期为16~18周。