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[最新新闻] 存储芯片技术更新放缓 弯道追赶正当时

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发表于 2016-7-4 13:58:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

存储芯片是产业链上价值量最高也是大陆最薄弱的一环,在技术更新放缓的背景下,我们认为大陆产业链市场可得、技术可得、资金可得,有望在紫光国芯、武汉新芯两只强力国家队的带领下实现弯道追赶。
技术更新放缓,市场、技术、资金三要素可得,大陆存储芯片有望复制面板产业的成功。市场可能认为:存储芯片是垄断竞争的重资产行业,海外巨头客户、技术、资本先发优势明显,大陆企业难有作为,我们认为:
技术更新放缓,弯道追赶拥有时间窗口:摩尔定律已近物理极限,28nm以下经济效益大幅降低,3D技术渐成主流;
(1)3D技术更新速度、难度和频率不及2D制程更新;
(2)3D技术成熟不久,此时若能通过合资、并购或团队引进获取技术,差距并不明显。
市场:存量市场加速转移,增量市场就在大陆。
(1)对于移动终端存量市场,大陆是全球最大的生产基地和消费市场,相配套的存储芯片从美日台韩向大陆转移加速进行;
(2)云存储和物联网是最大增量市场,大视频时代流量爆发,大陆是全球最大的数据生产国和消费国,云存储芯片需求量快速爆发;大陆拥有全球最优秀的互联网公司、终端品牌和电子产业链,有望引领物联网应用端创新。
技术:垄断竞争,三星做大,合作伙伴或可期。DRAM和NANDFlash两种最主要存储芯片CR4分别高达96%和82%,三星一家独占46%和 33%,在市场、技术和资本上逐渐获得领先优势,其竞争对手如美光、海力士、闪迪等拓展新兴市场意愿强烈,大陆存储芯片产业可用市场和资金换技术,通过引 进消化再创新掌握自己的核心技术。
资金:国家战略、资本市场双重支持。紫光和武汉新芯作为存储芯片领域两只重量级国家队,2016年以来在国家和地方政府的支持下分别宣布将投资300亿美元和240亿美元,项目落地后有望开启大陆存储芯片行业的黄金发展期。
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