Galaxy S尝鲜三星10纳米芯片，7纳米最迟2018年

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三星电子召开新闻发布会表示，计划在今年年底推出采用10纳米工艺制造的手机芯片，此举让三星击败对手英特尔和台积电，成为全球首家大规模采用10纳米工艺制造的厂商……

三星晶圆代工集团营销和业务发展高级副总裁洪浩表示：“我们正在进入批量生产，2016年我们将迎来10nm节点的第一批代工业务。”

三星表示，新型10LPE工艺使用先进的3D晶体管结构，与14纳米工艺相比，对工艺技术和设计进行进一步改进，面积效率增加30%，性能提高27%，功耗降低40%。此外，三星还在声明中补充，首款使用10LPE工艺产品将于明年初上市。随后，明年年底三星将推出10LPP工艺。

韩国《电子时报》本月报道称，三星将成为高通骁龙830高端处理器的独家代工商，这些芯片都将使用10纳米工艺生产，而有望于明年初发布的新款Galaxy S手机将有半数使用这种芯片。

实际上，去年11月底，三星就在一次展会上率先曝光自家研发的10nm工艺晶圆，这也是当时产业界首次秀出10nm工艺wafer。根据IC Insights数据显示，预计三星电子将在2016年晶圆代工厂营收中排名第五。

三星电子负责人洪浩还指出，未来将跳过与对手TSMC和Globalfoundries计划的浸没光刻技术的7nm节点，目标是在2018年年低利用EUV光刻技术实现7nm工艺量产。

摩尔定律代言人英特尔曾表示，自家的10nm工艺具有54nm栅极间距，能够比任何竞争对手更密集地封装晶体管。分析师认为，不能和三星、台积电的10纳米相提并论。

已获得iPhone 8大部分芯片订单的台积电则认为，10nm芯片正在有序进行明年初量产在即，10nm只是一个过渡的工艺节点，真正的挑战在于7纳米工艺。台积电工艺图显示，他们将在2017年底率先进行量产工作。

另一家晶圆代工厂商Globalfoundries早在9月就宣布将跳过10nm节点，计划在2018年底量产7纳米工艺，目前重点照顾FD-SOI的生态培养和建设。

中国代工厂商中芯国际日前投建14纳米大尺寸晶圆厂房，2015年与高通和IMEC合作研发14纳米工艺，预计2018年进行量产。