KilopassVLT技术引领DRAM走向储存新时代

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公司，近日在北京召开新闻发布会，宣布推出一项革命性的VLT技术，可以解决市场上传统DRAM所面临的困难，以竞争DRAM 500亿美元的服务器市场。

小公司大作为

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公司成立于2001，员工75人，然而这个看上去规模并不大的公司却设计研发出颠覆性的技术，正如

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首席执行官Charlie Cheng所说：“突破性技术可能且往往来自于小型的初创公司。” 正如1990年高通公司推出了用于无线和数据产品的码分多址（CDMA）技术，永久改变了全球无线通信的面貌。1995年闪迪公司突破了Flash闪存存储系统；2000年Atheros公司降低了运行在5GHz频段上的WI-FI成本（802.11a）；Charlie坚信现今

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VLT储存技术一定也将改变电容式DRAM的未来。

图1：发布会现场，

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首席执行官Charlie Cheng在接受记者采访

VLT技术到底什么鬼？

20世纪50年代人们发明了一种晶闸管，是一种结构复杂的电子器件，在电学上等效于一对交叉耦合的双极型晶体管，由于锁存的形成，这种结构非常适合存储器，如今，

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通过垂直的方式实现

晶闸管架构

，使得存储单元更紧凑，这种技术就是

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的VLT技术。

图2：VLT技术结构

与传统DRAM相比VLT优势何在？

低功耗、高性能

大家都知道为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。而VLT技术巧妙的避开了电容的困扰，无需复杂且高功耗的刷新周期，将功耗降低10倍，性能提高15％；

图3：VLT省去了数据刷新并在120度高温下仍可改善功耗

低成本

VLT通过垂直方式实现

晶闸管架构

，从而使存储单元更加紧凑，无所新材料，兼容DDR标准，与当前顶尖的20纳米DRAM制造成本降低45％。

参见下图的一组对比数据。

图5：VLT技术与三星20纳米DRAM相比可以降低45％制造成本

图4：VLT技术实现更小更短，且容易制造

无需授权

传统DRAM市场被三星、海力士和美光三家企业共同占有超过90％的市场份额，而DRAM的关键技术是电容存储单元，被专利所保护，

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的VLT的技术，无需电容，不必通过以上三家公司的授权，从而规避了相关专利的冲突，具有重大的战略意义。

VLT将进军500亿美元的DRAM市场

“服务器/云计算市场中的需求正推动总销售额达500亿美元的DRAM，由于移动电话和平板电脑增长缓慢，计算资源正在加速向云计算迁移。在2015年发布的一项报告中，从2014到2019年间DRAM市场年复合均增长率为9％。” Charlie解释到，“服务器和大型服务器集群消耗了大量的能量，传统DRAM行业正处于如何在提高存储器性能和降低功耗的技术困境中。全新的VLT技术突破传统DRAM架构，为当下提供了一种切实可行的解决方案。并于2017年初开始供货。”

图6：VLT技术首先进入服务器市场