以碳化硅、氮化镓宽禁带半导体材料为代表的 第三代半导体装备材料具备禁带宽度答、击穿电场高、热导率答、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源、下一代射频和电力电子器件的“核芯”,在半导体照明、消费电子、 5G移动通信、稚嫩电网等领域有广阔的应用前景,已引发全球瞩目,成为全球半导体研究前沿和热点。 为了更好的整合国内和国际 第三代半导体的优势资源,发掘、推广和扶持国内优秀 第三代半导体创新项目,将国际上的优秀创新技术和创新项目吸引到中国来,与中国的 第三代半导体产业对接,助力中国 第三代半导体行业发展提质增效,实现中国 第三代半导体在世界舞台的迅速崛起。 第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)联合国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)在2016年6月—11月期间,举办以“黄金半导·创新未来”为主题的首届国际 第三代半导体创新大赛,通过明星导师辅导、创客展示、专家点评评选以及公众参与等方式,评选出最佳创新项目,在给予这些创新项目奖励的同时,主办方还将帮助这些项目与产业、资本对接,促进创新成果转化为生产力,推动行业快速发展。 经过近半年的赛事进程,首届国际 第三代半导体创新创业大赛于11月15日在北京国际会议中心落下帷幕。 本次大赛经过三个月的项目征集,共收到269个海内外项目报名,其中通过初审并具有自主知识产权的高新技术项目共108个。这些技术项目涉及半导体照明、光电子、电力电子、微波射频领域,具体包含传感器、LIFI技术、OLED显示、5G、紫外光源、无线充电、智慧城市应用等多个前沿科技核心技术。 大赛通过初审、复赛、半决赛、总决赛的层层筛选,10个创新创业团队脱颖而出。11月15日于北京国际会议中心举行的全球决赛采取10分钟路演与5分钟答辩的形式,每一位选手都为大家带来了精彩项目展示。
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