ARM、赛灵思、台积电合力 2018年量产7nm

xzcxnihd · 发表于 2016-12-10 18:52:14

TSMC、三星不仅要争抢10nm，再下一代的 7nm 更为重要，因为 10nm 节点被认为是低功耗型过渡制程，7nm才是真正的高性能制程。现在 ARM 宣布已将 Artisan 物理IP内核授权给赛灵思（Xilinx）公司，制造制程则是TSMC公司的7nm。该晶片明年初流片，不过2018年才会正式上市。
　　Xilinx 是重要的 FPGA 晶片公司，也是 TSMC 公司的大客户之一，TSMC 的新制程大多是 FPGA 晶片首发，这次合作也不例外。ARM 授权 Xilinx 赛灵思公司在 TSMC 公司的7nm制程上使用自家的 Artisan 物理IP内核，后者是 ARM 开发的PGA（Power Grid Architect），可以优化集成电路的电源栅极，号称减少10%的晶片面积，提升20%的面积利用率。

　　根据 ARM、Xilinx 的消息，该物理IP预计在明年初流片，2017年出样给客户，不过正式上市要等到2018年。这个时间点跟 TSMC 宣布的7nm量产时间差不多，该公司之前多次强调会在2018年量产7nm制程。
　　那么7nm制程到底能带来多大的提升？恰好 TSMC 这两天公布了部分7nm制程细节，他们已经使用7nm制程试产了 256MB SRAM 电路，cell单元面积只有0.027mm2，读写电压0.5V，与 16nm 制程相比速度可以提升40%，或者功耗降低65%。

　　不过 TSMC 这个对比中还隔了一个10nm，他们之前也公布过与10nm制程的对比，7nm制程下晶体管速度提升20%，或者能耗降低40%。