不为追求极致性能而生 论非旗舰处理器的成功之道

xzcxnihd

2016-12-02 14:46 来源： 钛媒体
互联网头条哥

我要分享
[纠错]评论 投稿 订阅
导读： 回到我们的手机处理器，其实近几年芯片厂商称自己的“中端”处理器都是“为续航而生”，但为什么直到今年才说“旗舰”芯片拼极限性能，“非旗舰”芯片拼日常续航的模式“分化”已经初步成型呢？

　　OFweek电子工程网讯 与如今手机不断追求的性能不同的是，2016年末，数款“非旗舰”处理器逐渐走进了用户的视野。
　　11月30日，魅族发布了新智能手机魅蓝X，同时也带来了Helio P20芯片的全球首发。作为联发科的P系列新品，这也是一款“非旗舰”移动芯片。
　　今天我们就来聊一聊，为什么这些““非旗舰”处理器”会如此备受关注？
　　目前市面上各家新推出的“非旗舰”移动处理器，比较知名除了新发布的Helio P20，还有来自于高通的骁龙625、来自于（华为）海思的麒麟650。
　　在厂商的宣传中，性能多数被轻描淡写，而“省电”“续航”“能效比”等词汇被厂商浓墨重彩地强调。仿佛在说市面上的手机“光（处理器）快是不行的，重要的是（电池）要持久”。

　　

　　厂商使用“非旗舰”芯片只是为了省电吗？是，但不全是。

　　

　　总览这些芯片，它们全部采用了64位A53架构的bigLITTLE（大小核）设计，由四颗低频A53核心和四颗高频A53核心构成。但是在ARM公版架构中，A53只能算是小核心，并非主打性能的大功率A72、A73核心。
　　所以与其说这些“八核A53”的非旗舰处理器“省电”，倒不如说无法耗更多的电，来提供更高的性能。能耗上限这个“天花板”掉下来了，想多耗电也是件困难的事。
　　先进的工艺
　　为了将“省电”进行到底：这三颗移动处理器都采用了最新的三星14nm/台积电16nm FinFET制程。基于最新制程的红利，在相同的处理器频率下，耗电量要比早前的20nm、28nm都要更省电。
　　为什么制程进步会让处理器更加省电呢？
　　首先所谓“XX纳米制程”，就是IC（Integrated Circuit，集成电路）中晶体管的栅极长度。说得通俗些，就是衡量电路集成程度的一项指标。一般来说数字越小，代表电路的集成度也就越高。例如14nm制程理论上要比前代20nm更加先进。
　　我们目前所使用的手机与电脑芯片，都是一种电容性质的元件。其内部是由无数的晶体管所组成，晶体管之间会形成电容。

　　

　　而更加先进的制程代表着晶体管大小以及元器之间距离的缩短。根据电容器的性质，缩减元器件之间的距离之后，晶体间的电容也会降低。随着电容的降低，晶体管所需要的导通电压也会相应降低，而晶体管动态功耗又与导通电压的平方成正比。
　　也就是说，更为先进的制程，使得芯片在切换信号时更加灵活，需要的功率越小，能效比也就提高了。
　　除此之外，Helio P20还支持了最新型的LPDDR4X（Low Power Double Data Rate 4X，低功耗双倍速率4X），也就是我们所说的LPDDR4X运行内存（Synchronous Dynamic Random Access Memory，SDRAM同步动态随机存储器）。

　　

　　LPDDR4X内存规格相比前代LPDDR4有两项提升：
　　第一是内存带宽从3733Mbps提高到4266Mbps（分别对应双通道1866MHz 和 双通道2133MHz）；
　　第二是实现了输出供电电压（VDDQ）与工作电压（VDD）的分离，VDDQ 0.6V相比VDD 1.1V相差了近一半，降低了内存运行时的功耗，提高了能效比。
　　不过，作为一款“非旗舰”芯片，Helio P20只做到了第二条，而在内存带宽上，仅支持最大双通道1200MHz（2400Mbps），并没有超过旗舰芯片（以骁龙820为例）的双通道1866MHz。
　　也就是说，P20并没有实质提高内存速度，而是铁了心将“省电”进行到底。

edmrl

好好学习，天天向上。

hefeislb2000

xfzc

    

myntpcb

竟然到了0.6V的电压了。