展望2017存储“芯”发展 DRAM与NAND将持续涨价

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OFweek电子工程网讯 在即将过去的2016年，半导体行业风起云涌，经历多次并购案的半导体行业依旧活力十足，无论是谁都信心满满的期待着来年。高通并购恩智浦、软银收购ARM等事件都足够让人瞠目，除了半导体代工和架构设计之外，DRAM市场和NAND市场的剧情同样跌宕起伏。在6月份，三星由于位于西安的工厂外变电站爆炸事故，造成设备受损，全球的3D NAND芯片出现了供货紧张的问题。

市场需求剧增，产能不足
而在笔者了解到的信息中，全球最大的固态硬盘制造商建兴在今年9月份就开始出现供不应求的状况，而且一直持续到年底。2016年的NAND Flash市场除了缺货之外还是缺货，这让很多人对NAND产能产生了极大的疑问，难道就没有产商考虑增加产能吗？其实在今年年初，三星确实有考虑要加大NAND Flash的产能，不过在当时，手机市场处于饱和状态，而消费级PC市场需求也并不大，三星再三权衡之后选择了停止扩建计划。在下半年手机市场的出货趋于稳定的状态下，固态硬盘需求增加，加之三星西安工厂外变压器爆炸影响，内存和固态硬盘零售价出现了大幅度上扬的情况。其中内存涨幅将近50%，固态硬盘同样涨价不少。

SK海力士

NAND Flash的需求不断扩大，美光公司执行长德肯先生对此信心满满，他对2017年的DRAM、NAND市场非常看好。除了市场需求增大之外，美光的另外一个好消息就是他们的3D NAND闪存在今年底开始大量投产了。美光第一代3D NAND在成本符合美光的预期;而第二代也达到了64层堆栈，在近期大规模生产，美光能否夺回失去的市场就让我们拭目以待吧。在十一月份，三星向其客户展示了10nm DRAM芯片，在本月中，SK海力士有了回应，SK海力士表示计划在明年开始量产10nm制程的DRAM芯片，业界内有消息称SK海力士的10nm晶圆已经完成制样，正在进行可靠性认证。
虽然在下半年，各大厂商不断的加强新技术研发以及将产能开足，不过依旧难以缓解NAND芯片和DRAM芯片的供需，2017年还将会持续处于紧张的状态。存储器行业研究公司集邦科技的研究报告显示，2017年的NAND Flash产能将会增加6%，不过价格会处于稳步上扬的状态。价格上扬的主要原因来自于工艺技术的更新，2D-NAND芯片会在2017年降低占比，随后慢慢退出市场;而64层的3D-NAND要进入到市场还需要等到2017年第三季度，在此之前，NAND闪存颗粒的还是处于供不应求状态。