30 V、高密度N沟道沟槽MOSFET （安森美） - 电源技术 - 电子

2dmin

安森美半导体推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。


<ignore_js_op>





2009-10-29 11:56:45 上传
<strong>下载附件</strong> (28.49 KB)




</ignore_js_op>


新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术，提供优异的导通阻抗[RDS(on)]及更高的开关性能，用于个人计算机(PC)、服务器、游戏机、处理器稳压电源(VRM)及负载点(POL)应用中的同步直流-直流(DC-DC)转换器。直接替代NTD48x、NTMFS48x及NTMS48x系列的DPAK、SO-8FL及SOIC-8封装方案，以及新的µ8FL 3.3 mm x 3.3 mm封装方案，就其封装尺寸而言，提供业界领先的低导通阻抗。

安森美半导体的新MOSFET采用先进的封装系列，具有优化的低门电荷及低导通阻抗，提升开关性能及系统总能效。所有器件均为无铅、无卤素器件，且符合RoHS指令。

器件及封装
NTD49x系列32至79安培(A)器件包括NTD4904N、NTD4905N、NTD4906N、NTD4909N、NTD4910N及NTD4913N。这些器件采用6.7 mm x 10.4 mm DPAK封装，每10,000片批量的预算单价为0.28至0.50美元。

NTMFS49x系列35至166 A器件包括NTMFS4935N、NTMFS4936N、NTMFS4937N、NTMFS4939N、NTMFS4941N、NTMFS4943N及NTMFS4945N。 NTMFS4933N将于2010年初之前推出。这些器件采用5 mm x 6 mm SO8FL封装，每10,000片批量的预算单价为0.26至0.50美元。

NTTFS49x系列34至79 A器件包括NTTFS4932N、NTTFS4937N、NTTFS4939N、NTTFS4941N、NTTFS4943N及NTTFS4945N。这些器件采用3.3 mm x 3.3 mm µ8FL封装，每10,000片批量的预算单价为0.30至0.60美元。

NTMS49x系列12.5至17 A器件包括NTMS4920N、NTMS4935N、NTMS4937N及NTMS4939N。这些器件采用5 mm x 6 mm SOIC-8封装，每10,000片批量的预算单价为0.30至0.80美元。