英飞凌与台积电合作，开发汽车和芯片卡65纳米闪存工艺 -

2dmin

英飞凌与台积电（TSMC）今日共同宣布，双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。根据该项协议，英飞凌与台积电将携手开发65纳米工艺技术，用于生产符合汽车行业严格的质量要求及芯片卡和安全行业苛刻的安全要求的嵌入式闪存微控制器（MCU）。

与TSMC扩大合作符合英飞凌制造外包及通过合作大力开发65纳米以下工艺的战略。对于汽车应用而言，65纳米嵌入式闪存工艺可确保最高的功能集成度，实现即将出台的安全和排放标准规定的性能和特性。对于芯片卡和安全应用而言，65纳米嵌入式闪存工艺，是英飞凌打造定制安全系统，以最佳性价比实现适当程度的安全性和克服智能卡外形局限性的创新重点的重要支撑。

安全MCU批量生产之前的工艺和产品审核，预计将于2012年下半年完成。汽车MCU生产工艺预计2013年上半年完成审核并投入生产。采用65纳米嵌入式闪存工艺生产的面向汽车应用的首批产品，将被纳入英飞凌TriCore™ 32位MCU产品系列。对于芯片卡和安全应用而言，TSMC将为英飞凌广博的安全微控制器提供接触式和非接触式接口或是两用式接口。

在工业和固网通信等应用领域，英飞凌已与TSMC保持了十多年的生产合作。大约两年前，TSMC与英飞凌签订了一份制造协议，采用TSMC 65纳米低功耗工艺为英飞凌生产手机芯片。双方在此基础之上，将合作范围进一步扩大至汽车和芯片卡应用产品，印证了双方建立强大的开发联盟和保持长期生产合作的坚定承诺。

英飞凌是2008年获得了总价值约为183亿美元的全球汽车电子市场9.5%的份额的两大领导厂商之一。在芯片卡半导体领域，英飞凌全球排名第一，2008年占有该市场（总销售额24亿美元）25.5%的份额。

TSMC能提供符合 AEC-Q100 规范的 0.25 微米及 0.18 微米嵌入式闪存知识产权，是全球目前唯一有此能力的专业集成电路制造服务公司。