今年三星电子将在半导体设施上投资125亿美元

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有预测称，三星电子今年将在半导体设施上投资125亿美元（约合14.5万亿韩元）。
据市场调查机构“IC洞察”7日透露，三星电子今年在半导体领域设施上的投资额将比去年增长11%，达到125亿美元的规模。去年的设施投资额为113亿美元（约合13.11万亿韩元）。
存储器半导体和系统LSI的投资比重为8：2左右。三星电子正在京畿道平泽市兴建世界最大规模的半导体生产线。一旦工厂竣工，将从今年中期开始存储器半导体V nand flash的量产。电子业界认为，三星针对半导体市场看好的预测，扩大了投资的规模。随着物联网市场的扩大和高级数码机器的上市，存储器半导体的需求将大幅增加。
SK海力士公司今年将在设施上投资60亿美元（约合6.96万亿韩元）。这是全球范围内第四大投资额，也比去年的51.8亿美元（约合6.02万亿韩元）增加约14%。分析认为，继去年下半年（7?12月）D-RAM市场恢复增长势头之后，该公司积极投入3D Nand市场，将继续扩大投资规模。SK海力士公司首先在京畿道利川的下一代D-RAM生产线M14建立与无尘室相关的基础设施上投入巨资。在发布1月份业绩的记者会上，该公司曾宣布将扩大3D Nand flash 的生产能力。
预计半导体业界排名世界第一的因特尔公司，将在设施投资方面投入比去年增长25%的120亿美元（约合13.92万亿韩元）。因特尔去年在设施上的投资额也比前年增长31%。因特尔从去年起实施了高强度的体质改善工作，并致力于用于服务器的半导体等新领域。因特尔在半导体研发部门投入了127.5亿美元，规模是三星电子（约28.8亿美元）的四倍还要多。