站在SiC成熟期“元年” 解读各国的战略部署

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以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料是全球战略竞争新的制高点。美、日、欧等各国积极进行战略部署，第三代半导体材料引发全球瞩目，并成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点。作为电力电子器件，SiC器件在低压领域如高端的白色家电、电动汽车等由于成本因素，逐渐失去了竞争力。但在高压领域，如高速列车、风力发电以及智能电网等，SiC具有不可替代性的优势。

                               
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SiC材料与电力电子器件的发展 （数据来源：赛迪智库整理）

赛迪智库在充分研究了SiC材料和电力电子器件的发展历程之后认为，从2016年开始SiC已经进入成熟期。站在成熟期的“元年”，去研究各国在政策和产业的动向，对分析SiC产业的在我国的后续发展有着重要意义。
美国等发达国家为了抢占第三代半导体技术的战略制高点，通过国家级创新中心、协同创新中心、联合研发等形式，将企业、高校、研究机构及相关政府部门等有机地联合在一起，实现第三代半导体技术的加速进步，引领、加速并抢占全球第三代半导体市场。美国等发达国家2016年第三代半导体材料相关部分政策措施：

                               
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资料来源：CASA整理