三星砸钱扩产DRAM 外界看法不一

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外传三星砸钱扩产 DRAM，引发市场恐慌，不过最新消息称，三星新厂用途未定，不确定要生产 DRAM或是系统半导体。与此同时，外资出面缓颊，强调光是扩产消息，不足以撼动市场供需平衡。
韩媒 BusinessKorea 表示，三星斥资 10 兆韩元（约 87 亿美元）扩充 DRAM 产能，预定两年后完工。
然而韩国先驱报说法不同，先驱报称，半导体界透露，三星正在评估年度投资计划，有意在韩国华城（Hwaseong）的 17 号厂内部增加产线，并在 17 号厂旁边另盖新工厂。外界对于新产能用途看法不一，有人认为三星会增产DRAM、也有人说要生产系统半导体。
三星发言人表示，目前为时过早，无法确认投资计划和新产线用途，详细内容敲定后，会在本月底或 4 月初宣布。
各方看法不一，可能由于华城厂产线多元，17 号厂兴建之初只生产系统芯片，但是三星两度扩建 17 号厂，增加了 DRAM 和 3D NAND 产线，这次扩产目的难以判断。有人猜测，17 厂内部的新增产线可能用于生产 10 纳米系统芯片、新工厂则生产 7 纳米系统芯片。
三星扩产对象还不明朗，就算三星真的扩产 DRAM，Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 信心喊话，指出光是扩产宣言不至于动摇市场，需求才是观察重点。
巴伦周刊（Barronˋs）15 日报导，Hosseini 说，三星 2014 年宣布兴建韩国平泽厂（Pyeongtaek），生产 3D NAND，但是直到今年下半平泽厂才放量生产，距离宣布时间相隔 3 年。
SK 海力士 2014 年宣布增加 DRAM 产能，对市场供需也影响不大。2015 年、2016 年上半，PC 需求不振，才是 DRAM 供需失衡的主因。
Hosseini 强调，需要用更全面的观点看待供需，当前存储器多头市场能否持续，取决于终端市场需求、3D NAND 良率、各公司技术进展和成本曲线，不能单看扩产宣言。