骁龙835处理器迟到：半导体产业链蜕变前期的阵痛

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315过去后，就可以期待各家手机厂商推出的旗舰新机了……你可能会奇怪，315和手机厂商发布主力新机有什么关系吗？从以往经验来看，好像并没有，但今年比较特殊，因为到目前，拿出自家镇店旗舰产品的委实不多。在往年，这个时候三星家的Galaxy S新旗舰早就笑傲江湖了，还有小米，记得去年小米5也是在2月24日就早早问世了……今年大家都在等什么呢？答案很显然：高通“掉队”了，骁龙835迟迟没动静，手机厂商们也是望眼欲穿……

不过好在，高通已经宣布在3月22日亚洲首秀高通骁龙835处理器，这是个好信号，至少说明这款处理器能拿出来溜溜了，虽然还没有大规模铺货，但至少让人看到了铺货的希望，手机厂商们也有盼头了。不过此前一度有传闻三星S8将独占骁龙835处理器的初期供货，虽然后来半路杀出的索尼打破了这个传闻，但考虑三星和高通的关系，其他厂商想要拿货，那也得是“撸起袖子加油抢”的节奏吧……

当年骁龙810一声“老子发烧”，让一众手机厂商苦不堪言，而现在骁龙835一声“老子难产”，影响的同样是不少手机厂商的产品计划，这里关于厂商自研处理器的重要性和优势就不说了。其实不仅是骁龙835，同为10nm的像三星Exynos8895、联发科的Heilo X30等，也好不到哪里去。2017年是半导体产业10nm工艺争锋的关键点，大家都遭遇了良率偏低的问题，我们不妨看看，骁龙835们为什么这么难产。

首先，当今半导体产业有芯片代工能力的主要是三家：三星、台积电、和Intel，而在移动端市场，虽然Intel早前曾放言未来会代工ARM芯片，但目前，仍然是三星和台积电的天下。2017年，10nm制程是智能手机芯片市场的重要卖点，但根据《电子时报》早前的报道，目前三星和台积电的10nm工艺均面临着良率不理想的难题。

在CPU市场，人们喜爱谈论某款CPU采用了XX nm制程工艺，因为这一指标的每一次提升，带来的都是性能的高涨和功耗的降低，对于芯片产业十分重要。那么这个XX nm背后意味着什么？我们知道，一款CPU中包含上亿个晶体管，而一个单独的晶体管大致结构是这样的：

图片中给了两个晶体管，但代表的是两种技术，都可以作为参考

图中的晶体管结构中，“Gate（栅极）”可以看做是“闸”，主要负责控制两端Source（源极）和Drain（漏级）的通断，电流从源极流入漏极，而这时的栅极的宽度决定了电流通过时的损耗，表现出来就是发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的宽度（栅长），就是XX nm工艺中的数值。

对于芯片制造商而言，自然是力求栅极宽度越窄越好，不过当宽度逼近20nm时，栅极对电流控制能力急剧下降，漏电率相应提高，对生产工艺的难度要求也上了一个台阶，例如台积电在这段时间一度遭遇漏电和产能的问题。而工艺继续微缩，硅晶体管的尺寸缩小到一定程度（业内认为小于10nm）时会产生量子效应，导致晶体管的特性难以控制，这时候对于芯片的制造生产难度显然成倍增长。因此，在10nm这个节点上，对三星、台积电这样的代工厂而言，考验和压力可想而知。

另外，随着芯片制程来到10nm，设计制造成本的翻涨也令人咋舌。根据市场研究机构IBS的调研报告，10nm制程芯片的设计成本相比14nm，增加接近5成，持续而巨大的资金投入也是10nm芯片量产的一道难关。

由此可见，对于高通而言，骁龙835的迟到实在不是自己能左右的，在10nm制程半导体厂商争王夺霸的关键时候，代工厂们也在憋着劲看谁能首先克服良率的难关，这种节骨眼上，即便迟到，相信高通也是有苦难言啊。

目前来看，对于非常欢腾的大批国内手机厂商而言，“必须搭载”骁龙835的旗舰手机延迟推出的可能性是非常大的，当然，也不排除有厂商拿到其中一些“体质较差”芯片，带着“降频版”的背景抢个“彩头”。

说到这里你可能会问，对于三星、台积电们而言，接下来怎么办呢？谁能够抢下10nm节点的flag呢？

这就要看谁能够最先实现新技术的成熟了。例如在20/22nm工艺节点上，Intel引入了3D FinFET技术，把栅极制做成下图右面的形状，增大接触面积，减少栅极宽度的同时保证对电流的控制，后来FinFET技术也被三星台积电等大范围使用，而在10nm往后，FinFET技术也要到天花板了，在技术上进行突破创新是必然之选，目前，半导体厂商们正在积极研究FD-SOI（全耗尽绝缘体硅）工艺、硅光子技术、3D堆叠技术等，也投入了巨资，为日后的7nm、甚至5nm做准备，彼此间的竞争也将进一步加剧。

纵观今年高通骁龙835处理器迟到的背后，实则是半导体产业链蜕变前期的阵痛，三星和台积电之间的竞争已经来到白热化阶段（Intel的10nm制程进展虽然落后，但在工艺上自信更加先进，这里就不展开讲了），也许熬过了这个“难产期”，整个展业会迎来“新生命”。

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steven7

高端的手机CPU，都要看高通的脸色