[IC] A2I20H080N datasheet

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RF LDMOS Wideband Integrated
Power Amplifiers

Features Advanced High Performance In--Package Doherty
 On--Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked)
 Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with
Enable/Disable Function (2)
 Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems


A2I20H080N.pdf (425 KB, 下载次数: 0)
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