RF Power LDMOS Transistor
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Features• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C
Operation
• Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
• Optimized for Doherty Applications
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 44 mm Tape Width, 13-inch Reel
再发某公司的PADS格式 PCB封装库全套共享
Allegro超强最全模仿PADS快捷键实现Z切换层
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PCB叠层
PADS和Allegro初级班开始报名了
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详解用大模型超拟人语音做桌面AI宠物/机器
发表于 2017-4-5 12:02:41
