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[其他器件] MWE6IC9100N-1 datasheet

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发表于 2017-4-23 18:31:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
RF LDMOS Wideband Integrated
Power Amplifier

Features• Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters
and Common Source S--Parameters
• On--Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked)
• Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with
Enable/Disable Function (1)
• Integrated ESD Protection
• 225°C Capable Plastic Package
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 44 mm Tape Width, 13 inch Reel.


MWE6IC9100N-1.pdf (1.15 MB, 下载次数: 0)
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