第六事业部IGBT芯片研制取得重大突破 - 汽车电子 - 电子工

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2009年11月20日采用第六事业部自主研发的IGBT芯片顺利组装成IGBT模块，并成功开始电动汽车台架测试，这标志着比亚迪终于打破了IGBT芯片技术长期为国外垄断的坚冰，填补了国内的一项空白，为公司未来的电动汽车和能源战略的实施铺平了道路。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为主流的新型电力电子器件之一，大规模应用于电动汽车、电力机车里的电机驱动以及并网技术、储能电站、工业领域的高压大电流场合的交直流电转换和变频控制等，是上述应用中的核心技术，市场需求巨大且与日俱增。

由于IGBT技术门槛较高，IGBT诞生20多年来，该技术一直被欧美、日本企业垄断，IGBT产品价格高、交货周期长、产能不足，严重限制了我司电动汽车和能源战略的实施。为了突破这项技术壁垒，2006年7月，王总果断地启动了IGBT项目的研制攻关，第六事业部毫不犹豫地接受了这项光荣而艰巨的“政治”任务。

第六事业部从相对容易掌握的模块封装技术做起，与欧洲一世界著名的IGBT芯片和模组供应商达成紧密合作关系，多次派技术骨干到欧洲学习生产工艺和技术选型等，于2008年6月在深圳葵涌成功组建了国内首条车用IGBT模组生产线，实现了IGBT模组自行设计和生产的第一步突破。2008年10月，第六事业部在集团的强力支持下，收购了原中纬积体电路（宁波）有限公司，成立了宁波比亚迪半导体有限公司并投入巨资引进设备更新产线，拥有了芯片研发的良好工艺平台，拉开了IGBT芯片研发的序幕。王总给第六事业部定下了明确的研发目标：2009年6月，拿出比亚迪自己的1200V IGBT芯片样品！

为了确保实现目标，提高研发效率，第六事业部克服人员数量及经验严重不足的困难，在深圳同时成立两个IGBT芯片开发团队并行进行，在宁波集中十几名专职工程师进行配套工艺开发。深圳和宁波两地的工程师通力合作，通过查阅大量技术资料、专利，经过反复的仿真、理论计算分析，不断进行器件结构设计改进，十个月来流片二十余次，克服设备陈旧且不全、团队经验缺乏等重重困难，终于如期完成了第一代产品的开发，并在9月一举通过国家权威机构的科技成果鉴定，鉴定结果为“该样品主要技术性能指标与国际同类产品相当，达到同类产品国际先进水平”，实现了集团IGBT芯片研发的第一步战略目标。