三星宣布量产第 2 代 10 纳米 FinFET 制程，产品预计 2018 年首

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韩国科技大厂三星电子于 29 日宣布，已经开始大规模量产以第 2 代 10 纳米（nm）FinFET 制程技术（10LPP）为基础的单芯片系统（SoC）产品，其搭配该单芯片系统的电子产品，也预计将在 2018 年首季问市。
三星表示，针对低功号产品所研发的第 2 代 10 纳米（nm）FinFET 制程技术（10LPP），相较于第 1 代 10 纳米（nm）FinFET 制程技术（10LPE），10LPP 的制程可使性能提高 10%，功耗降低 15%。而且，由于该制程是延续于已经量产中的 10LPE 制程，所以将可以大幅缩短从开发到大量生产的准备时间，并提供更高的初期生产良率，因此更具有市场竞争优势。
三星进一步表示，采用 10LPP 制程技术制造的单芯片系统产品，预计将于 2018 年首季推出相关的电子产品。三星电子代工市场营销副总裁 Ryan Lee 表示，透过从 10LPE 制程向 10LPP 制程的迈进，三星将能够更好地为客户提供服务，同时提高性能，提高初期产量。
另外，三星还同时宣布，位于韩国华城的最新 S3 生产线，目前正准备加速生产 10 纳米及其以下制程技术。S3 是三星晶圆代工业务的第 3 座晶圆厂，其它 2 座分别是位于韩国京畿道的器兴（Giheung）的 S1，以及位于美国奥斯汀的 S2。根据规划，三星的 7 纳米 FinFET 制程技术与 EUV（Extreme Ultra Violet）技术也预计将在 S3 晶圆厂中于 2018 年开始大量生产。

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