重金增建EUV专用产线 三星将于2019年初量产10纳米DRAM

shuszhao

考虑现有ArF浸润式制程，不易将DRAM微缩至10纳米，三星计划在南韩华城厂增建EUV专用的DRAM产线，2019年初生产10nm级(1z)制程DRAM，尽可能在DRAM市场与竞争对手维持技术差距。
据韩媒Digital Times报导，三星电子即将在华城厂区17产线附近的停车场空地增建1条新的EUV专用产线，最快2017年12月就会动工，预定2019年启用,将利用初期10纳米技术生产DRAM，开业界先河。
韩国ETNews报道称，三星华城Line 17工厂预计投资在2.5万亿到3万亿韩元之间，约合22-26.4亿美元，以300mm晶圆计算，扩建之后每月产能将提升3.5万片晶圆，目前的产能约为4万片晶圆/月。
三星华城厂区内有DRAM、NAND Flash、晶圆代工等多种半导体产线，目前三星还在研议是否将这条EUV产线与其余7条原本的半导体产线、输送带连接运行。
业界认为，三星除了要在晶圆代工使用EUV设备，也有意将EUV设备用在DRAM生产，2019年领先同业量产1znm制程DRAM。
三星增建产线会在当地带来交通负荷，但最近华城市政府已通过交通影响环评审议，因此三星只需完成剩余的建厂申请行政流程，立刻就可以动工。三星虽未明确公布将使用几台EUV设备，但业界推测应在4~8台。


皆为保住DRAM市场龙头宝座

半导体大厂抢进先进制程，尤以10纳米以下必须导入波长只有13.5纳米的极紫外光(EUV)，才能降低晶圆制造的光罩数，缩短芯片制程流程。由于要价1.5亿美元（折合新台币约45亿元）的EUV设备，目前只有艾司摩尔(ASML)独家供应。
三星在2016年10月开始以现有的曝光设备反复刻画电路量产18nm DRAM，至今尚未公布1ynm DRAM量产计划，业界认为三星已准备好1znm量产技术，只是无法决定导入时间点。
熟悉三星电子情况的人士说，原则上三星的EUV机台只会用在7纳米晶圆代工，不过有些可以拿来生产DRAM。三星最可能以ASML生产的EUV机台进行量产，预料将装设4~8台EUV设备，但机台价格动辄数千亿韩元，制程速度慢是最大缺点，三星能否获利仍是未知数，。
专家预测，虽然导入EUV仍有几项缺点，三星仍会考虑用EUV生产10纳米DRAM，以维持市场龙头宝座。前不久韩媒曾报导三星拟订下ASML近90%的机台，以阻碍台积电等厂的量产进度。
三星是全球DRAM霸主，市调机构的资料显示，2017年第3季三星在移动设备与服务器DRAM市场的占有率各为58.3%、45.9%，DRAM的营业利益率更高达62%。2016年下半年首先量产18纳米DRAM，今年下半年将推进至15纳米，制程领先对手1至2年。
据韩媒报导，三星电子的半导体事业司令部已由器兴移到华城。会长权五铉执掌半导体暨设备解决方案事业部(DS)时期，权五铉的办公室位于器兴厂区，社长金奇南接任DS部长后，每天上下班地点是华城厂区内的半导体零组件研究大楼，业界认为金奇南将会加强对系统半导体事业的管理效率。


SK海力士、美光拼命追赶

另外，三星的竞争对手SK海力士也有意以更先进制程生产DRAM。传闻2017年第4季SK海力士将启动1xnm DRAM生产，并在2018年下半开发出1ynm DRAM制程，但SK海力士并未明确提到是否采用EUV设备。
DRAM第三大厂美光也在拼命追赶。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM，计划未来两三年砸下20亿美元，研发13纳米DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备，并购买了多项高价生产仪器，进入13纳米制程之后，同一片晶圆能分割成更多芯片，生产力将提高20%。