英特尔10纳米技术不强？大错特错

shuszhao

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英特尔10纳米芯片姗姗来迟，消费者感到困惑，难道英特尔现在不能推出10纳米芯片吗？当然不是。英特尔10纳米芯片推迟上市是有原因的，因为它想提高良率之后再向下一个节点转移。

不愿意透露姓名的消息人士指出，英特尔10纳米芯片延迟推出，主要是出于财务方面的考虑，并不是因为它没有能力制造良好的10纳米CPU。大家应该都知道英特尔有许多Fab工厂，而工厂正是英特尔CPU成功的关键原因之一。Fab的管理者十分关注经济效益。
AMD前CEO Jerry Sanders III曾说过：“有晶圆厂才是真男人。”
英特尔CPU集团从英特尔Fab订购圆晶，在外人看来，二者名义不同但实际是一样的，其实不是，它们由两家独立的公司运营。不论什么时候，英特尔Fab都想用圆晶赚更多的钱。
一块300毫米的圆晶成本约为200-700美元，我们完全可以假定10纳米圆晶的成本应该离700美元不太遥远。英特尔的目标是获得更高的良率，有时高达90%，它希望大多的内核(Die)都是好的。假设下一代10纳米Ice Lake内核的尺寸为15x10mm（150平方毫米），那么每块圆晶英特尔可以获得大约394块内核。到底有多少内核是好的？这就是良率，数字越高，赚的钱越多。
再看AMD和GlobalFoundries，它们的良率不到50%，不过公司还是执意要生产。一位知情人士说只有等到良率达到非常高的水平，英特尔才会向新节点迈进。
2018年英特尔10纳米芯片（也就是Cannon Lake、Ice Lake）就会出货，到时英特尔希望良率能达到非常高的水平。
在10多年的时间里，AMD没有什么产品威胁英特尔，问题在于英特尔不想让三星、高通在10纳米制程上抢先。其实二者没有什么关系，英特尔的芯片大很多，TDP介于5-120瓦，但是高通三星芯片的TDP只有2.5瓦。
高通曾在公开场合说，10纳米骁龙835芯片只有72.3平方毫米，而骁龙820有113.7平方毫米。再说一次，二者针对的市场是不同的。英特尔U系列14纳米笔记本芯片的TDP有15瓦，而H系列芯片的TDP是45瓦，桌面处理器TDP介于65-95瓦。
年中时AMD推出了Threadripper和Ryzen/Epyc处理器。在此之前，无论是桌面市场还是笔记本市场，AMD没有给英特尔带来任何威胁。所以英特尔重塑14纳米产品，必要时就会推出Coffee Lake S（6核桌面处理器）和Kaby Lake H（4核笔记本处理器）。英特尔还翻新了Kaby Lake R 8代处理器，TDP介于15-25瓦，与双核7代芯片相比，新芯片可以延长续航时间，性能大大增强。内核从2个增加到4个，续航时间不会缩短，这样的表现很不错了。
到了2018年，这些内核可能会用10纳米技术制造。

郑先生