格罗方德披露7纳米最新进展：提升40%效能、2019年量产

shuszhao

因竞争对手台积电、三星陆续在2018年挺进7纳米先进制程，格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）今年不断地放出自己关于7纳米制程的信息，以期获得业界的关注。近日在2017 年国际电子元件会议（IDEM 2017）上，格罗方德（GlobalFoundries）公布了有关其 7 纳米制程的详细资讯，能效相比14纳米工艺降低40%......

根据科技媒体《ZDNet》的报导，在日前的 2017 年国际电子元件会议（IDEM 2017）上，晶圆代工大厂格罗方德（GlobalFoundries）公布了有关其 7 纳米制程的详细资讯。与当今用于 AMD 处理器，IBM Power 服务器芯片，以及其他产品的 14 纳米制程产品相比，7 纳米制程在密度、性能与效率方面都有显著提升。
格罗方德最新一代的 3D 或 FinFET 电晶体，在 7 纳米制程下具有 30 纳米的鳍间距（导电通道之间的间距）、56 纳米的栅极间距、以及 40 纳米的最小金属间距。此外，7 纳米制程可生产的最小高密度 SRAM 单元尺寸为 0.0269 平方微米。以上公布的这些间距尺寸，相较 14 纳米制程来说已经有了大幅度的进步。对此，格罗方德方面表示，其调整了鳍片形状与轮廓以获取最佳性能。不过，格罗方德却拒绝提供有关该翅片宽度与高度的测量资料。
而根据格罗方德所公布的这些尺寸，不仅类似于台积电的 7 纳米制程，与英特尔宣称跟其他晶圆代工厂 7 纳米制程同等级的 10 纳米制程来说也大致相同。至于，另一家晶圆代工大厂三星，则将于 2018 年初在国际固态电路研讨会（ISSCC 2018）上公布其直接采用 EUV 技术的 7 纳米制程的详细资讯。
总而言之，格罗方德方面预计 7 纳米制程能够达成 2.8 倍的电晶体密度提升，并提高 40% 的性能表现，亦或者是在同等性能条件下将功耗降低 55%。另外在高性能版本上，还能够额外提供 10% 的性能提升。


2018年试生产，2019年量产7纳米工艺

报导中进一步表示，格罗方德的 7 纳米制程将在 2018 年中期进行试生产，2019 年在纽约马尔他工厂进行量产。对此，格罗方德表示，该公司有多种产品现在仍处于投入生产前的最后一个主要设计步骤，而且计划在 2018 年推出。另外，7 纳米制程也是其格罗方德 FX-7 ASIC 产品的基础，目前许多格罗方德的许多客户正在使用 FX-7 ASIC 设计，封装有高频宽存储器的专用高性能芯片，来用于处理机器学习的工作上。
据了解，AMD目前选择全部产品都交给GF代工。其中，采用其最新的14 纳米工艺的包括 Ryzen 处理器，以及服务器领域的 EPYC 处理器。至于，GPU芯片方面，Polaris 北极星用的是GF 的28 纳米工艺，最新的 Vega 织女星则也是则是采用GF的 14 纳米工艺。
还有，AP 处理器部分，现有第7代处理器系由GF的28纳米工艺生产。根据未来的发展蓝图，将在2017年第4季推出的Zen APU，则将会改用GF的14纳米工艺生产。按照AMD的规划，Zen家族未来至少两代产品，包括Ryzen、EPYC都会继续交给GF代工生产，分别采用其7纳米、及7纳米+的工艺。
格罗方德技术长 Gary Patton 在接受媒体联访时表示，格罗方德将转型成为一家全方位服务型代工厂商，其中，对 IBM Microelectronics 的成功收购，为该公司在 3D FinFET 领域带来了大量知识产权与专业技术，使得格罗方德有能力自主研发其 7 纳米制程，以及领先的无线 RF（射频）业务。
Gary Patton 强调，目前格罗方得的美国纽约马尔他晶圆厂正在大量生产 14 纳米芯片，此外，格罗方德公司还营运了另外 4 座晶圆厂，而在中国成都的第 6 座晶圆厂将于 2018 年投入生产。目前除了 AMD 与 IBM 为主要客户之外，其他在多个应用领域都有一定的成绩，包括在人工智能、汽车电子、5G 通讯与物联网等项目。