长鑫存储300 台设备到位，中国首颗19纳米12寸DRAM今年推出！

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长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备基本全部到位，今年下半年将投片试生产......
4月15日，主题为“筑梦‘芯’高地，扬帆‘芯’征程”的国家集成电路重大专项走进合肥。本次活动持续两天，是集成电路业内的“顶尖级”盛会，首颗“合肥造”存储器有望于今年下线。由国家集成电路重大专项实施管理办公室、集成电路产业技术创新战略联盟、省经信委和合肥市政府主办，着力打造长江经济带泛半导体创新绿色发展先进产业集群。

据了解，长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备基本全部到位，运营及研发团队全部入驻厂房办公区，今年下半年将投片试生产，大批知名品牌的电子产品有望在明年用上“合肥造”的存储器芯片。
长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国表示，截至4月15日，企业已经有1174名技术人员，44%来自省内。工厂在1月份开始设备安装，有望在2019年年底产能达到每月2万片。项目建成投产后，预计将占据世界DRAM市场约8%的份额。
目前长鑫项目正在装机过程中。今年有望造出第一颗“合肥造”的19纳米级12寸DRAM工艺的存储器，这是几年团队默默工作的成果。据了解，这也将会是首颗“合肥造”存储器。

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