三星预计年底前量产7纳米芯片 将首次使用EUV技术

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三星电子最近宣布，计划在今年年底前生产出基于7纳米技术的芯片。新的生产工艺将首次使用极端紫外线光刻(EUV)技术，是一种通过向硅片发射强烈光束而蚀刻出晶体管的技术，该技术可提升信息处理速度，缩小占用空间，减少功率。GlobalFoundries和TSMC也已宣布计划在明年推进EUV商业化。

                               
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三星销售和营销执行副总裁查理•贝在一份声明中表示：“在过去一年里，我们一直致力于完善EUV流程组合，我们必须为下一代芯片设计实现第一次硅技术的成功。”

英特尔打算运用7 纳米技术发展新的光刻工具，但该公司还没有说明具体的研发计划。英特尔一直在努力完成10纳米技术，这可能会让它更易实现芯片上的挤压晶体管。上个月，英特尔承认了一直存在的产量问题，这将导致10纳米的生产从今年下半年到明年呈下滑趋势。

英特尔创始人戈登•摩尔曾提出摩尔定律，即可刻蚀在芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍。 但芯片分离技术的发展说明这一定律显然并不合理。与此同时，在过去半个世纪中与摩尔定律共同促进半导体产业发展的国际半导体技术路线图也被停用。但近几年，三星已经制定了自己的路线，计划2021年前陆续将单位数节点降至3纳米。

节点名称并不代表芯片内晶体管的实际宽度。三星说，3纳米节点将使用全环绕晶体管制造技术，会产生里程碑式的影响。去年，三星宣布计划在4纳米节点上使用全通晶体管，其全功能晶体管将基于纳米片，以增强栅控，并显著提高性能。但一些分析人士表示，三星可能在 7nm结节。

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