东芝与新思科技合作，加快3D NAND Flash验证速度

shuszhao

双方合作将FineSim Pro FastSPICE NAND Flash电路仿真速度提升两倍，蒙特卡罗优化为离散（variability）分析提供2倍的额外吞吐量，优化的FineSim Pro可支持3D NAND Flash中的大型电源分布网络……
新思科技（Synopsys, Inc.，）宣布，与东芝（Toshiba）开展合作，加快Toshiba BiCS FLASH™ 垂直堆叠三维（3D） Flash的验证。通过与Toshiba紧密合作，新思科技为其FineSim® Pro FastSPICE工具引入了创新的仿真算法，以应对3D NAND Flash越来越高的设计复杂度。这些新技术将仿真速度平均提高2倍，从而将本需数日的仿真运行时间缩短到一天之内。
与传统 Flash设备相比，3D Flash设备拥有更大的存储器阵列、更复杂的模拟和编程电路，以及庞大的电源分布网络。此外，由于存储器堆叠式的阵列结构，3D Flash设计必须考虑因版图寄生元件引起的增强的耦合效应。如果采用现有的电路仿真技术，越来越高的复杂度会导致仿真时间持续数日之久。通过与Toshiba紧密合作，最新版本的FineSim Pro FastSPICE采用了专门为3D Flash仿真优化的几项关键技术，可高效处理海量阵列结构、大型电源分布网络、更多版图寄生元件以及高精度模拟电路。
Toshiba SSD应用工程部门技术总监Shigeo（Jeff）Ohshima表示：“自2000年初以来，FineSim一直是我们的signoff电路仿真器。与新思科技的长期合作使我们可以为一系列广泛的应用开发领先于同类技术的Flash产品。通过与新思科技紧密合作，我们部署FineSim Pro来验证我们最新的BiCS Flash，并满足了严格的质量和可靠性要求。”
新思科技设计事业群工程副总裁Paul Lo表示：“先进的Flash设计需要大量的电路仿真，以确保设计的稳固性、可靠性和成本竞争力。我们的团队将继续与Toshiba保持紧密合作，提供全新的电路仿真技术，以满足仿真复杂3D NAND Flash的严苛需求，共同打造出超级芯片。”