MOS管基本参数

shuszhao · 发表于 2018-12-9 13:45:49

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mos管的基本参数，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。

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上图四项指标，第一项是导通延时时间，第二项是上升时间，第三项是关闭延时时间，第四项是下降时间。定义如下图：

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在高速H桥应用中，MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr，也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要，否则容易炸机，下图为高速二极管。

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高速下，二极管也不是理想的，二极管导通后，PN节中充满了电子和空穴，当瞬间反向加电的时候，需要时间恢复截止，这个类似一扇门打开了，需要时间关上，但在高速下，这个关上的时间太长，就会导致H桥上下管子导通而烧坏。所以在高速应用中，直接因为MOS管工艺寄生的二极管的反向恢复时间太长，所以需要用特殊的工艺制作实现高速的内置二极管，但哪怕特殊工艺制作的，其性能也达不到独立的高速二极管性能，只是比原MOS管寄生的指标强一些而已，但已经满足大部分软开关的需求了，500KHz下没问题。比如Infineon的C6系列，后缀带CFD的管子，内部的二极管就是高速的。

若有些场合需要更高速的二极管，而内置的二极管性能达不到，则需要特殊的处理方式，MOS管先串联二极管，再外部并二极管，这样子实现，可以应用于频率超过500KHz的场合。

907321 · 发表于 2018-12-9 16:11:44

luoliren206 · 发表于 2019-1-14 10:00:44

renchangbing · 发表于 2019-2-12 17:55:47

天涯哥 · 发表于 2019-2-12 22:07:41

天涯哥 · 发表于 2019-4-8 08:49:10

yaodaoji · 发表于 2019-4-9 21:24:46

谢谢分享

燊 · 发表于 2019-4-11 08:34:38

显示全部楼层 · 发表于 2019-4-16 09:41:54

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