继动力电池之后，比亚迪开放汽车芯片板块

wuweiliang · 发表于 2018-12-12 08:48:56

12月10日，比亚迪在宁波发布了在车规级领域的IGBT4.0技术，将电动车CPU的核心技术带到了“聚光灯”下。

　　
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全称“绝缘栅双极型晶体管”，其芯片与动力电池电芯并称为电动车的 “双芯”，是影响电动车性能的关键技术，其成本占整车成本的5%左右。
　　
对于电动车而言，IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。
　　
作为中国第一家实现车规级IGBT大规模量产、也是唯一一家拥有IGBT完整产业链的车企。比亚迪称，已投入巨资布局性能更加优异的第三代半导体材料SiC(碳化硅)，有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪旗下的电动车将全面搭载SiC电控。
　　
IGBT属于汽车功率半导体的一种，因设计门槛高、制造技术难、投资大，被业内称为电动车核心技术的“珠穆拉玛峰”。此前，该技术主要掌握在国际巨头手中。
　　
“比亚迪依靠自身强大的研发实力、人才的聚集、产业链的配套，在汽车功率半导体领域有了核心的突破，这个突破不是今天想，明天投入就能实现的，是积累了十多年的技术、人才和产业链才能实现的。”中国半导体行业协会IC设计分会副理事长周生明表示。
　　
据比亚迪第六事业部兼太阳能事业部总经理陈刚介绍，比亚迪IGBT4.0较当前市场主流的IGBT，电流输出能力高15%，综合损耗降低了约20%。
　　
同时，比亚迪称，已经成功研发了SiC MOSFET(汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等)，有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升10%。
　　
陈刚表示：“SiC MOSFET将成为比亚迪电动车性能持续迭代更新的新一代‘杀手锏’，同时保持开放心态，期待和产业链条上的伙伴合作融合。”