全球半导体产业在未来两年将成长趋缓 长期乐观

shuszhao

资深半导体产业分析师、IC Insights总裁Bill McLean在一场于美国硅谷举行的年度谈话中表示，着眼于中国、欧洲在贸易问题上的不确定性，以及内存产业周期来到谷底，他预测半导体产业在未来两年将成长趋缓，之后又会反弹复苏；长期看来，不需要担心中国。
具体来说，McLean预测2019年半导体产业营收成长1.6%，2020年则将衰退0.9%，再之后的三年则将有7%~13%的成长；他的观点与其他市场研究机构Gartner以及VLSI Research相当，后两者的分析师稍早前表示，产业目前的成长趋缓将避免景气衰退。
IC Insights预测，内存市场维持两年的超级周期迈入尾声，将会把今年的芯片平均销售价格(ASP)拉低6%；McLean表示，中美贸易争端以及英国脱欧的议题，期望能在今年春天获得解决。他指出，英国脱欧以及中美贸易关税提升至25%的问题在3月截止后，“今年的情况将会更明朗；”而中国与美国都有“充分的动机”去平息贸易战。
McLean指出，最近美国国会提案禁止中国业者华为(Huawei)与中兴(ZTE)的芯片在美国销售，“会导致一种经济上的世界末日…所以我不认为这会发生，但这可能是一种协商手段；”他表示，华为的财务长可能会引渡到美国，因为违反伊朗禁运的规定而面临司法诉讼，这为世界经济带来了不可预测的因素。
这些日子以来，宏观经济变化在半导体产业预测扮演主导性的影响因素，预期今年世界各国的GDP都会下滑零点几个百分点；只有印度GDP估计会成长零点几个百分点。McLean表示，芯片产业链仍然在消化去年底假期季节的过剩库存，“没有人预期今年上半年会有好景气，但都认为今年下半年会相当好；而如果贸易争端获得解决，下半年会看起来不错。”
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半导体产业将会出现成长趋换甚至轻微衰退
（来源：IC Insights）
好消息是，营收规模超过4,300亿美元的芯片产业出货量，年平均成长率由过去的6%~9%增加为11%；坏消息则是半导体市场两大领域──超过1,000亿美元的DRAM，以及600亿美元的NAND闪存──也最具周期性。McLean指出：“我们今年将看到三大DRAM厂是否能成功抑制产能扩张，以避免价格下跌。”
周期性的问题如此严重，去年台湾小型内存供货商南亚(Nanya)，预期该公司的DRAM月销售额将在2019上半年成长45%，但下半年会出现44%的衰退。IC Insights预测，内存业者在2018年在DRAM与NAND分别花费了70亿美元与100亿美元的过高资本支出，以追逐市场的成长，但2019年内存芯片厂商将把资本支出削减13%，部分原因是为了支撑价格。
但在2017年将资本支出加倍到240亿美元的三星(Samsung)，则会是一个不确定因素。McLean表示：“我从来没看过一家公司这么积极…该公司是要告诉中国业者他们没有机会可以追得上；”他预测三星在2019年的资本支出规模会缩回至180亿美元。
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内存价格下跌将会拖累整体芯片价格下滑
（来源：IC Insights）
在谈到中国是否会在半导体制造上成为一个竞争威胁时，McLean表示自己是个怀疑论者，但这可能是保守说法。中国乐观地规划了“中国制造2025”的目标，期望在2020年能自己供应国内芯片需求的40%，该比例到2025年将增加至70%；但IC Insights预期，实际的比例应该分别只有17%与24%。
他指出：“我认为他们可能会取得一些成果，但我不认为会接近他们所期望的目标；”IC Insights估计，中国当地的晶圆厂在2018年制造了价值约237亿美元的芯片，占全球整体约5.5%比例，而那些芯片大多数(超过160亿美元)是来自包括英特尔(Intel)、海力士(SK Hynix)与三星等业者经营的大型DRAM与NAND闪存厂。
目前中国在全球晶圆代工产业的市占率约9.2%，IC Insights该比例在2023年也只将增加到10.3%左右。McLean指出，中国显然有许多资金，不过从去年5月起该国预计将投资在半导体产业的1,700亿美元下一波资金，却一直没有动静。
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中国的芯片市场规模庞大且持续成长，不过当地的芯片生产并不多。
（来源：IC Insights）
IC Insights表示，据报导中国的内存业者长江存储(Yangtze Memory Technology，YMTC)将会取得240亿美元的投资，成为领导级NAND业者；而长江存储的销售额将从2018年的3亿美元，在2023年成长至54亿美元，使其成为中国第三大芯片业者、超越中芯国际(SMIC)。
McLean强调这只是推测，他预期只要长江存储开始出货竞争产品，美光(Micron)、三星、海力士与东芝(Toshiba)等业者就会控告该公司侵犯它们的NAND专利权。他也对长江存储是否能生产尖端工艺芯片存疑，因为目前该公司准备出货的“32层3D NAND技术还落后五年”，但其远大计划是要跳过96层组件，直接生产128层产品。
“他们的最终目标是进军DRAM市场，”McLean表示：“我猜他们的想法是，【我们加上这个应该也会不错】。”他更不看好福建晋华(Fujian Jin Hua Integrated Circuit Co.，JHICC)这家才取得约56亿美元投资、而且刚赢了一场与美光的侵权官司的厂商；晋华还面临美国设备禁运问题，为此台湾的联电(UMC)退出了该公司技术伙伴的角色，使得晋华陷入窘境。”
另一家情况类似的中国DRAM业者(合肥)长鑫(Innotron)，估计取得了72亿美元的资金，但缺少拥有先进技术的伙伴，连公司官网都没有；McLean表示：“我看不出来他们要如何在市场发挥影响力。”
中国还有两个28纳米晶圆代工服务投资计划──包括上海华力微电子(Shanghai Huali)以及将由鸿海(Foxconn)支持在深圳附近投资90亿美元的晶圆厂；对此McLean表示，28纳米节点似乎这几年来已经供应过剩，新诞生的中国晶圆代工业者只能从现有的当地同业如中芯手中抢走一些订单。

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