5G时代需求扩张，美光再加码4000亿元新台币扩产

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美光这次的扩厂主因，除了看准未来5G时代的市场需求之外，另外就是在日韩贸易战的状况下，有可能使得韩国三星与SK海力士的生产遭受影响，导致市场的需求与价格的提升，逐步摆脱先前内存低档的情况，因此才会大动作宣布扩厂。而扩产的当下，未来也预计美光将需要增加人手，进一步进行大规模征才的动作。

根据《经济日报》报导，为了满足未来在5G时代中包括人工智能、物联网、智能驾驶等运用的需求，全球三大DRAM制造商之一的美光 (Micron) 将斥资超过台币4,000亿元，于台湾省台中中科厂区扩大产线。
报导指出，目前为在台湾投资最大外商的美光，这次再加码投资台湾，是计划在中科再兴建A3及A5两座厂房。其中，在A3厂房方面，预计2020年8月份完工，并且在第4季陆续导入试产最新的第3代10 纳米级 (1z nm) 工艺。至于，在第2期的A5厂房方面，美光则会依据届时市场上的需求，逐步增加产能。据了解，目前规划的月产能为6万片。

对此，美光坦承目前在A3厂已进入兴建阶段，并且以扩建无尘室为主，而且还将加入包括桃园与台中中科前段晶圆厂的生产线，并进一步提升美光在DRAM卓越中心的设备更新、技术升级。至于两个厂的投资金额与其他细节规划，美光则不方便透露。另外，除了产能的扩充之外，美光将进一步合并现有的组织架构，包括当前的A1及A2厂将直属美光台湾董事长兼台中厂运营长徐国晋管辖，其他职务重复的主管将进行优退。
事实上，美光日前就已经正式宣布开始量产第3代10 纳米级 (1z nm) 工艺 DRAM，而且市场人士也预计将会在台中中科厂区规划产线生产。如今，证实该项消息。而根据美光日前的表示，与第2代10纳米级（1y nm）工艺相比，美光的第3代10纳米级 (1z nm) 工艺技术将使该公司能够提高其DRAM的位密度，进而增强性能，并且降低功耗。
此外，以第3代10纳米级工艺所生产新一代DRAM，就同样是16GB DDR4的产品来比较，功耗较第2代10 纳米级工艺产品低 40%。另外，在16GB LPDDR4X DRAM方面，1z nm工艺技术将较1y nm工艺技术的产品节省高达10%的功率。而且，由于1z nm工艺技术提供的位密度更高，这使得美光可以降低生产成本，未来使得内存更加便宜。
美光这次的扩厂主因，除了看准未来5G时代的市场需求之外，另外就是在日韩贸易战的状况下，有可能使得韩国三星与SK海力士的生产遭受影响，导致市场的需求与价格的提升，逐步摆脱先前内存低档的情况，因此才会大动作宣布扩厂。而扩产的当下，未来也预计美光将需要增加人手，进一步进行大规模征才的动作。

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