存储业垄断格局将会发生怎样的变数？

shuszhao

全球存储器垄断格局已经持续近20年，按2018年12月数据，韩国三星，海力士总计获得DRAM的73%及NAND闪存52%的市场份额，但是未来这样的垄断格局迟早可能会发生改变，因为这是全球市场化的基本规则。

全球存储器垄断格局已经持续近20年，按2018年12月数据，韩国三星，海力士总计获得DRAM的73%及NAND闪存52%的市场份额。但是据观察，未来这样的垄断格局迟早可能会发生改变。
根本原因是市场中的利益不可能长久独占，到时候一定会分化，它是全球市场化的基本规则。

存储器业前景看好


美光副总裁Sumit Sadana认为存储器业将迎来未来10-20年的好光景。按照成长率计，NAND的年均增长率可达35%，以及DRAM为15-19%。
因为存储器是伴随着计算机业成长与进步，开初时CPU与存储器的销售额为近1：1，如今在移动时代，加上AI，5G及大数据等共同推动下，存储器的使用量大幅上升，在2018年已经达到3：1，存储器的销售额已达1,600亿美元。
阿里云智联网首席科学家丁险峰预测，2030年大陆将会设计制造世界上80~90%的物联网设备以及50%的云端运算。80%的物联网设备不仅制造在大陆，设计也在大陆。物联网是高度碎片化的市场，必须有大量的工程师支持各种应用场景。大陆的认知运算将占据全球一半以上。
IDC预测2020年全球数据总量将突破40ZB，到2025年，全球联网设备一年产生的数据量达到79.4ZB。在阿里云栖大会上，阿里巴巴董事长张勇提出的公开预测数据显示，到2025年，全球一年产生的数据将达175ZB，是IDC预测的两倍。
虽然全球数据量呈爆炸式增长，但是数据的存储却面临很大的挑战，那就是存储产业的增长速度远远追不上数据增长的速度。
从历史的数据看，2018年全球生成了32ZB的数据但是只有5ZB的数据被存储下来，预计到2023年，全球会有103ZB数据产生，但是能存储的数据只有12ZB！所以只有不到10%的数据被存储！
为什么全球存储器产能不会同步的跟进？这是个非常现实的问题，由于产能扩充需要投入大量的资金，另外存储器的价格与供求紧密相关，所以每个大厂在产能扩充方面都是十分谨慎。它们的逻辑是宁愿让市场的供应稍稍短缺一些。
再有存储器的周期性起伏十分明显，需要企业有充足的现金流支持。所以即便在市场态势上升时，存储器的产能扩充仍是缓慢的，不太可能急升。
据Gartner的预测，2018年全球DRAM月产能总计约1250K片(12英寸计)，其中三星为460K片，海力士350K及美光的345K。至2021年时估计新建产能再增加20-25万片。
另据IBS的预测，2018年全球NAND闪存月产能总计约为1450K，到2021年时约为1,700K，在此期间再增加新建产能约为300K，总计为月产能近2,000K。

强手都欲聚焦存储器


“人无远虑必有近忧”，再好的企业也必须要具有危机感，想到“万一”情况出现时相应的对策，如三星，已是连续多年全球存储器老大，2018年它的存储器利润创新高，但是近期它宣布在未来的10年中要总投资达1,000亿美元，欲夺取全球代工的首位。
再如英特尔，它己连续多年是全球半导体销售额的首位，虽然它是全球最早做存储器的企业之一，但是之后离开存储器集中力量做处理器。如今时隔34年后它宣布要重返存储器市场。发布新一代存储器业务战略，将炮火瞄准存储器半导体大厂三星电子和SK海力士。
英特尔为何选择向存储器市场进攻呢？它的高级副总裁兼非易失性存储器解决方案事业部总经理罗布˙克鲁克解释，因为存储器和CPU有密不可分的关系，为加强CPU潜力，因此选择进军存储器，并决定再扩新墨西哥州的新生产线。
值得注意的是英特尔采用3D Xpoint、是与美光联合发布的新型闪存技术，号称是25年来存储技术的革命性突破，速度是目前NAND闪存的1000倍，耐用性也是目前闪存的1000倍，密度是NAND的10倍。
英特尔指出，机器所产生的大量资料通常需透过实时分析后，才能赋予数据价值。此项需求凸显了内存储层级结构所产生的缺口，即DRAM容量不足、SSD则不够快。而这些缺口可透过Optane DC持续性内存来填补，就连更大量的数据集(data set)也可透过储存接口连接的Optane技术来填补缺口。
然而英特尔能否如愿以偿，决定于3D Xpoint产品能否取得众多服务器客户的青睐，目前尚为时过早。
另外，如全球代工的台积电，实际上它一直在作嵌入式存储器的代工。但是它至今并未表示要向存储器进军。仅是业界有人认为台积电要保持“常青”，应该及早跨入存储器业，此话并非一时冲动。因为全球代工业中台积电的市占己达54%，离第二名的三星有很大的距离。但是由于工艺制程技术已经进入3nm，计划向2nm挺进，甚至达1nm。不可否认的事实，仅5nm的工艺研发费用为近5亿美元，及3nm为近15亿美元，业界预估2nm时可能高达65亿美元。而7nm的一次工艺流片费用约3，000万美元，及5nm的流片费用高达约3亿人民币。
由此随着定律接近终点，工艺研发费用呈火箭状上升，能支持高额费用的fabless越来越少。所以台积电要开辟新的战场是理所当然的事。
权衡比较，显然存储器业是“甜点”，因为它的市场容量大，成功的关键要充满信心及大量资金投入，对于台积电来说技术可能不是阻碍。所以业界有人猜测台积电要涉足存储器也并非捕风捉影。
至于台积电会选择DRAM，NAND，或是新型的存储器产品，业界预估非常可能是新型存储器。

中国要加入存储器行列


站在不同立场，对于中国要加入存储器行列的态度是截然不同。
中国半导体业认为中方消耗了近60%的全球存储器，未来要实现国产化，是理所当然的事。至多从开初到占领市场份额，会多化些时间。
但是部分西方业者并不同意此看法，甚至认为中国半导体涉足存储器业可能会打乱国际上的平衡格局。
因此从国际分析机构对于全球存储器市场的预测，至少在现阶段，几乎很少会把中国的投资及产能扩充部分如实地考虑进去。
中国涉足存储器主要有两个问题，一个是技术从那里来？另一个是产业规模，存储器必须要具足够大的规模量产，才能持续的生存下来。
中国半导体业对于知识产权的保护一直以来予以足够重视，因为加强研发必须要有知识产权保护相匹配，才能起到相辅相成的作用。但是由于产业刚启步，企业之间的认知度尚有差异，所以需要有个熟悉及学习的过程。
中国半导体业涉足存储器完全是为了提高国产化的需求，一是肯定不会在全球称霸，与韩国，美国相抗衡，也缺乏实力，另一个中国是集国家之力攻克存储器，因此一定能够成功，无非是花的时间可能久些，但是国家意志已决，现阶段的主要目标是尽快地出产品，至于市占率刚开始能达3-5%已经相当可观，另外即便暂时有些亏损，对于国家而言也完全可以承受。所以对于中国要涉足存储器业，部分西方人士也应该要正确的理解，总不能扼杀中国要自制自用部分存储器的权利。同样完全拿西方的经验来观察及分析中国的半导体业发展，可能未必能够得出正确的结果。

结语


存储器业垄断格局不可能一成不变，此点可能连三星的心里也十分清楚。依目前态势分析，垄断格局可能分化，什么时间尚不可预测。除了强手及中国涉足之外，新型存储器的“搅局”，目前的“候选者”也不少，可能是另一个变数，但是哪一种能胜出，及在什么时间段开始尚有待市场来抉择。
中国半导体业要涉足存储器业是国家意志，不会改变，要相信中国半导体业会按照国际通用规则，一方面大力开发IP，同时会尊重与保护知识产权，融合全球化之中。目前1xnm DRAM已取得实质性的进展，正在继续产能爬坡与扩充。而3DNAND，长江存储拥有独创的Xtaking技术，它已从32层向64层过度，预计2020年也将进入量产阶段。
中国半导体业进入存储器业对于全球半导体业应该是件好事，它至少推动半导体设备及材料业的进步，同时有利于全球存储器业的转型，相信在中国半导体业参与下，通过市场的公平竞争，会对全球存储器业发展作出更大贡献。

小碎步灬

咋们国家肯定会加入此行业的