2019年存储产业领域发生的那些大事件

shuszhao

与2018年的并购、建厂、扩产、投产相比，到目前为止，2019年的存储器领域并未出现大规模的并购建厂，而是更加注重技术的升级、以及新产品的研发。2019年长鑫19纳米DRAM正式量产，17纳米工艺重大突破；长江存储64层3D NAND量产，128层3D NAND取得重大突破。2020年中国大陆存储进入丰年。
下面一起回顾一下2019年存储产业领域发生的那些大事件。

一、国内篇

2019年2月20日，东南大学国家ASIC工程中心时龙兴教授、杨军教授团队在ISSCC上发表了题为《Sandwich-RAM: An Energy-Efficient In-Memory BWN Architecture with Pulse-Width Modulation》的论文，这是ISSCC上第一次录用中国大陆存储芯片领域相关论文，是首次深度学习处理器领域入选的论文。


1、合肥长鑫CXMT

长鑫存储首次介绍建设情况
2019年5月15日，DRAM生产商长鑫存储董事长兼CEO朱一明介绍长鑫的建设经历和知识产权体系。
朱一明表示，长鑫存储通过自主研发再创新，累计投入25亿美元研发费用，建成了严谨合规的研发体系，并结合当前先进设备完成了大幅度的工艺改进，开发出独有的技术体系，拉近了与世界先进水平的技术差距。长鑫存储完成了第一座12英寸DRAM存储器晶圆厂的建设，技术和产品研发有序开展。目前，制造工艺进展顺利，已持续投入晶圆超过15000片。
平尔萱谈长鑫技术问题
2019年9月19日，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士在演讲中表示 基于授权所得的奇梦达相关技术和从全球招揽的极具丰富经验的人才，长鑫存储借助先进的机台已经把原本奇梦达的46纳米 DRAM平稳推进到了10纳米级别。公司目前开始在EUV、HKMG和GAA等目前还没有在DRAM上实现的新技术进行探索。
8Gb DRAM芯片宣布投产
2019年9月20日，在2019世界制造业大会上，合肥长鑫自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的19纳米第一代8Gb DDR4首度亮相。
据了解，长鑫存储内存芯片自主制造项目于2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目，一期设计规划产能每月12万片晶圆。
目前，该项目已通过层层评审，并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。据长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示，投产的8Gb DDR4已经通过多个国内外大客户的验证，今年底正式交付。8Gb LPDDR4X也于第四季度实现投产。
集成电路制造基地项目签约
2019年9月21日，在2019世界制造业大会上，合肥市政府与长鑫存储技术有限公司、华侨城集团有限公司、北方华创科技集团股份有限公司等就合肥长鑫集成电路制造基地项目签约。
合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元，选址位于合肥空港经济示范区，占地面积约15.2平方公里，由长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目、空港集成电路配套产业园和合肥空港国际小镇三个片区组成。
其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资1500亿元；空港集成电路配套产业园总投资超过200亿元，位于长鑫存储项目以西；合肥空港国际小镇总投资约500亿元，规划面积9.2平方公里，总建筑面积420万平方米，位于长鑫存储项目以北。
制造基地全部建成后，预计可形成产值规模超2000亿元，集聚上下游龙头企业超200家，吸引各类人才超20万人。
专利授权
2019年12月，长鑫存储和WiLAN Inc.联合宣布，长鑫存储与WiLAN Inc.合资子公司Polaris Innovations Limited有关达成专利许可协议和专利采购协议。依据专利许可协议，长鑫存储从Polaris获得大量奇梦达（Qimonda）的DRAM技术专利的实施许可。
未来规划
根据规划，长鑫存储合肥12英寸晶圆厂分为三期，第一期满载产能为12 万片，预计分为三个阶段执行，第一阶段要完成单月4万片，目前为2万片，2020年第一季底达到4万片。2020年开始规划建设二期项目，并于2021年完成17nm工艺的DRAM研发。


2、紫光集团

宣布进军DRAM产业
2019年6月30日，紫光集团正式宣布组建DRAM事业群，委任刁石京为DRAM事业群董事长，高启全（Charles Kau）为DRAM事业群首席执行官（CEO）。此举标志着DRAM业务版块在紫光集团内部获得战略提升。
随后，紫光迅速布局，8月27日和重庆市人民政府签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂。
12英寸DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。
64层3D NAND闪存投产
2019年8月26日，长江存储64层3D NAND闪存芯片在第二届中国国际智能产业博览会上首次公开展出。
9月2日，长江存储在其官方微信正式宣布，已经投产基于Xtacking架构打造的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
长江存储上海研发中心落户张江
2019年8月31日，2019世界人工智能大会“生态引领、智链浦东”峰会在世博中心召开。会上，长江存储上海研发中心签约上海集成电路设计产业园。
紫光长存（上海）集成电路有限公司与张江高科签约的长江存储上海研发中心为自主研发存储芯片项目，将在张江成立上海研发中心，预计研发投入每年不低于1亿元。
聘任坂本幸雄
2019年11月15日，紫光集团正式宣布任命前尔必达CEO坂本幸雄（Yukio Sakamoto）为紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO，负责拓展紫光在日本市场的业务。
坂本幸雄在接受《钻石周刊》独家专访中谈到，紫光的目标是5年内量产DRAM，他的工作就是协助达成目标。紫光要在日本神奈川县川崎办公室设立“设计中心”，预定招募70到100位工程师，和中国的制程据点密切合作，大约花2、3年建构量产的体制。
武汉新芯二期投产
2019年武汉新芯二期扩产项目顺利投产，将于2020正式量产。
2018年8月28日，武汉新芯集成电路制造有限公司召开二期扩产项目现场推进会在武汉召开。据悉武汉新芯二期扩产项目规划总投资17.8亿美元；2018年12月开始进入设备安装调试。
紫光成都存储器制造基地项目
2019年，原预计于2020年第三季投产的紫光成都存储器制造基地项目主厂房还在建设中。
2018年10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工。据介绍，紫光成都存储器制造基地项目占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售，旨在打造世界一流的半导体产业基地。据悉，项目全部建成将可形成月产芯片30万片。
128层3D NAND获突破
2019年长江存储128层3D NAND Flash已经取得重大突破，目前正在改进良率中，预期2020年投产。
未来规划
长江存储武汉厂目前的产能约月产能2万片，预计到2020年四季度会达到月产能5万片。
紫光成都厂按计划2020年第三季度投产，到2020年四季度月产能可爬升到1到2万片。
按照计划，2019年顺利量产64层3D NAND Flash之后，长江存储会跳过96层堆叠直接杀向128层堆叠，而据悉128层3D NAND Flash也已经取得重大突破，这也意味着，2020年长江存储将要进行128层3D NAND Flash的量产。


3、晋华集成

据悉，晋华工厂有200余台设备，原计划2018年底试产。然而，由于福建晋华和美光之间的诉讼，美国当地时间2018年10月29日，美国将福建晋华列入了出口管制的实体清单。随后，联电也宣布暂停为福建晋华提供研发协助。至此福建晋华的DRAM几乎陷入停滞。
但是2019年以来，笔者在多个场合见到晋华集成副总经理徐征，虽然并未透露任何有关晋华的信息，但其代表晋华公开现身，应该表明“晋华仍在运转当中”。


二、海外篇

1、铠侠/东芝
与西数联合投资北上K1工厂
2019年5月，和西数达成正式协议，共同投资在日本岩手县北上市建造的“K1”制造工厂。
K1工厂的建设预计将在2019年秋季完成，而东芝存储器和西部数据对K1工厂设备的联合投资将从2020年开始实现96层3D NAND Flash的初始生产。
四日市工厂停电
2019年6月15日，日本四日市停电13分钟（从18:25到18:38），而东芝存储器因为在该市拥有多个工厂也随之备受关注。
东芝存储器在四日市市运营的6个晶圆厂（NY2，Y3，Y4，Y5-1，Y5-2和Y6），都遭受不同程度的损失。
2019年6月下旬，西部数据表示停电事故影响到西部数据共约6EB当量的wafer产出，约占当季供应量的一半左右。
收购台湾光宝SSD业务
2019年8月30日，与光宝（liton Technology Corporation）签署了收购其SSD（固态硬盘）业务的最终协议。收购价格为1.65亿美元，该交易预计将于2020年上半年完成，并将根据惯例进行收市调整和监管审批。
其中收购包括存货、机器设备、员工团队、技术与知识产权、客户供应商关系等营业与资产，预计2020年4月1日完成。
此次收购视为加强公司SSD业务的一种方式。
更名Kioxia
2019年10月1日，东芝存储器正式更名为Kioxia公司。全球所有东芝存储器公司都会采用新的品牌名称Kioxia，基本上同一天生效。而东芝电子（中国）有限公司计划将于2020年春天完成更名。
东芝存储器称，融合了“记忆”与“价值”的双重含义，Kioxia代表了公司以“存储”助力世界发展的使命，同时也是公司愿景的基石。
Kioxia将开创新的存储器时代，以应对日益增大的容量、高性能存储和数据处理的需求。


2、美光

恢复向华为出货部分芯片
2019年5月，美国商务部将华为列入一项黑名单后，美国存储芯片大厂美光也停止了华为的出货。然而，不久之后，有外媒报道，美光执行长Sanjay Mehrotra表示，在评估美国对华为的禁售令之后，已经恢复部分芯片出货。
美光确定，可以合法恢复一部分现有产品出货，因为这些产品不受出口管理条例 (EAR) 和实体清单的限制。Mehrotra同时指出，因为华为的情况依然存在不确定性，因此美光无法预测对华为出货的产品数量或持续时间。
不过，到目前为止，尚未有美光再次向华为停止出货的消息传出。
延迟日本广岛DRAM新厂投资计划
美光位于日本广岛的DRAM工厂（Fab 15）最新的生产厂房B栋已于2019年6月初落成启用，其无尘室的面积较原先扩大了10%，并计划进行新一代DRAM 的生产，以缩小与三星的差距。
Fab 15实际上是在2013年美光买下尔必达后纳入麾下的，原计划在今年中期在该厂展开1Z nm制程的下一代DRAM 生产，不过据传该厂已动工的F栋厂房部分扩建已经向后推迟了7个月，F栋厂房原本预计在2020年的7月份完成兴建，如今已经延迟到2021年的2月份，足足向后延迟了7个月的时间。
各中原因，众说纷纭，有说是因为对华为禁运，有说是因为数据市场低迷。
新加坡闪存厂完成扩建
2019年8月14日，美光宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A的扩建，这是继Fab 10N、Fab 10X之后的第三座NAND Flash工厂。
扩建的Fab 10A为晶圆厂区无尘室空间带来运作上的弹性，可促进3D NAND技术先进制程节点的技术转型。另外，扩建的Fab 10A厂区将根据市场需求调整资本支出，在技术及产能转换调整情况下，Fab 10厂区总产能将保持不变。
台湾DRAM扩产
2019年8月，美光（Micron）将在台湾加码投资，要在现有厂区旁兴建2座晶圆厂，总投资额达4000亿元新台币（约合人民币903亿元），生产最新制程DRAM。美光此次4000亿新台币扩建案，规划在目前中科厂旁，兴建A3及A5二座晶圆厂。
其中，A3厂房是以扩建无尘室为名，且已进入工程兴建阶段，预定2020年8月完工投，并陆续装机，2020年第4季导入最新的1Z制程试产，借此缩小与三星的差距；第二期A5厂将视市场需求，逐步扩增产能，规划设计月产能6万片。
完成收购IMF，结束和英特尔的合作
2019年10月31日，美光完成对英特尔在双方合资公司IM Flash Technologies的股权收购，位于犹他州Lehi的工厂成为美光的全资子公司。此举表明，美光和英特尔在NAND Flash方面的合作也将彻底结束，包括3D NAND技术的研发，将各自独立推动自己的未来技术路线图。


3、SK海力士

停产部分NAND Flash产品
2019年第一季度，SK海力士财报表现不尽如人意，营收为6.77兆韩元，环比下滑32%，同比下滑22%；营业利润为1.37兆韩元，环比下滑69%，同比下滑69%；净利润1.1兆韩元，环比下滑68%，同比下滑65%。
因此，SK海力士表示，为专注于改善收益，在NAND Flash部分，将停止生产成本较高的36层与48层3D NAND，同时提高72层产品的生产比重。
在DRAM领域，将逐渐扩大第一代10纳米 (1X) 产量，并从下半年起，将主力产品更换为第二代10纳米 (1Y) 产品。与此同时，为支援新款服务器芯片的高用量DRAM需求，将开始供给64GB模块产品。
无锡新厂完工
2019年4月18日，SK海力士无锡二工厂（C2F）举行了竣工仪式。二工厂是在原有DRAM生产线C2的基础上实施的扩建工程。二工厂项目全部建成后，SK海力士无锡工厂将形成月产18到20万片12英寸晶圆的产能。
不过由于各种原因，目前产能推进不是很积极。
量产业界首款128层4D NAND芯片
2019年6月26日，SK海力士宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。
在相同的4D平台和工艺优化下，SK海力士在现有96层NAND的基础上又增加了32层，使制造工艺总数减少了5%。与以往技术迁移相比，96层向128层NAND过渡的投资成本降低了60%，大大提高了投资效率。
这款128层的1Tb NAND闪存芯片实现了业界最高的垂直堆叠，拥有3600多亿个NAND单元，每个单元在一个芯片上存储3位。相较于此前的96层4D NAND，SK海力士新的128层1Tb 4D NAND可使每块晶圆的位产能提高40%。


4、三星

全球首发量产512GB eUFS3.0闪存芯片
2019年2月27日，三星电子宣布，全球首发量产512GB eUFS3.0闪存芯片，成为了全球唯一一家可以量产512GB eUFS3.0闪存芯片的公司，该芯片用于三星折叠屏手机Galaxy Fold。
三星电子表示，eUFS3.0芯片连续读取速度可达2100MB/s，是现有eUFS 2.1速度的两倍有余，也是普通SD卡速度的20多倍，计划下半年开始供应1TB与256GB规格的eUFS 3.0闪存芯片。
推出1Z纳米制程DRAM
在DRAM制程陆续进入10纳米级制程后，三星电子于2019年3月21日宣布，开发第三代10纳米等级（1znm）8GB DDR4。
而这也是三星发展第二代（1ynm）制程DRAM之后，经历16个月，在不使用EUV的情况下，再次开发出更先进制程的DRAM产品。
随着1znm制程产品问世，并成为业界最小的存储器生产节点，三星的生产效率比以前1ynm等版DDR4 DRAM高20%以上。
三星指出，跨入1znm制程的DRAM生产，将为全球IT加快朝向下一代DRAM界面，包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等预做准备。
量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM
2019年7月18日，三星电子官方宣布量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。据了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要针对未来智能手机，优化其5G和AI功能。
采用第2代10纳米等级（1ynm）制程的新款12Gb LPDDR5 DRAM，传输速度可达到5500Mbps，是现有LPDDR4X速率4266Mbps的1.3倍。
三星表示，2020年将量产16Gb的LPDDR5 DRAM颗粒。
三星西安基地扩产
2019年12月25日，三星西安二期二阶段开工，预计投资达80亿美元，规划月产能7万片。
三星西安基地二期一阶段月产能6万片，已经开始投片试产，将于2020年3月正式量产。
二期整体完工后，西安总产能将高达25万片。
三星华城停电
2019年12月31日下午，三星华城基地发生大约一分钟的断电事故，导致三星华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。
据悉，此次断电是因为区域电力传输电缆出现问题，目前部分DRAM和NAND闪存的生产已经暂停，预计需要大约两到三天时间才能全面恢复。此次事故可能造成数百万美元损失，但没有造成重大破坏。
而2018年，三星平泽工厂一次半小时的断电造成了据估计高达500亿韩元（约合4332万美元）的损失。


5、英特尔

2019年9月，英特尔表示，3D XPoint闪存依然采用第一代两层堆叠技术，制造还依赖美光工厂的产能。
明年上市的第四代3D闪存已经确定将使用144层堆叠技术，并且同96层堆叠时代不同的是QLC闪存将成为首发产品。但继续沿用Floating Gate浮栅结构，英特尔表示这种结构在数据保存期上较Charge Trap结构更有优势。
PLC（5bit per cell）可行性也在讨论中，并没有量产的时间表。
出售IMF，结束和美光的合作
2019年10月31日，英特尔完成在和美光的合资公司IM Flash Technologies中的股权出售，位于犹他州Lehi的工厂成为美光的全资子公司。此举表明，美光和英特尔在NAND Flash方面的合作也将彻底结束，包括3D NAND技术的研发，将各自独立推动自己的未来技术路线图。


6、华邦电子

高雄新厂延后
华邦电子高雄12英寸厂房于2019年7月封顶，原本预期2021年底可开始进入生产，初期以25纳米DRAM开始投片。2019的2月6日华邦电子表示，由于2012年存储器市况将趋于稳定，但因存储器价格仍然不好，所以高雄12英寸厂的装机时间将递延到2022年第一季。
中科厂挺进下一代制程
2019年，中科厂已经安装20纳米和25纳米的DRAM设备，在此试验新制程，如果良率得以提升，然后再搬到高雄新厂量产。


7、旺宏电子

加码3D NAND Flash
2019年12月9日，旺宏公司表示将于2020年下半年开始量产48层3D NAND存储器，并且已经收到了客户的订单。此外，公司计划在2021年量产96层，在2022年量产192层3D NAND存储器。
旺宏成立30年，目前已经在ROM、NOR Flash拿下全球第一的地位，下一个目标则是要在20年内，成为NAND Flash的领导厂商。


8、南亚科技

自主研发10纳米级工艺
2019年，南亚科技完成自主研发10纳米级DRAM技术，将在2020年下半年试产。
南亚科技现在以20纳米技术为主力，技术来源为美光。随着南亚科技10纳米制程导入自主技术，意味未来不再仰赖美光授权，摆脱数十年来技术长期依赖国际大厂的状况，免除动辄上百亿元的授权费用。
南亚科技已成功开发出10纳米DRAM新型记忆体生产技术，使DRAM产品可持续微缩至少三个时代。第一代的10纳米前导产品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5将建构在自主制程技术及产品技术平台，2020下半年后将进入产品试产。第二代10纳米制程技术已开始研发阶段，预计2022年前导入试产，后续会开发第三代10纳米制程技术。