我国自主研发5G微基站射频芯片流片成功，正在封装测试

shuszhao · 发表于 2020-3-8 08:53:21

HiNOC2.0是我国下一代有线射频宽带广电接入标准，南京宇都HiNOC2.0射频/基带芯片组可实现600兆每秒的下行速率，完全可与国际巨头的同类产品对标。

日前，科技日报报道称我国首个5G微基站射频芯片YD9601，在南京宇都通讯科技有限公司经过自主研发流片成功，目前正在进行封装测试。
5G基站分为宏基站和微基站两种：

[li]5G宏基站主要用于室外覆盖，5G微基站主要用于室内，发射功率较小（一般200毫瓦以内），广泛用于机场高铁等候区域、商业场所、商业楼宇、学校医院、园区工厂和社区家庭等场景；[/li][li]5G微基站可以以较低成本有效解决室内覆盖区域的容量（如机场、高铁和商业场等热点区域）和覆盖问题（如商业楼宇和家庭）。[/li]
“5G微基站射频芯片项目是我们自主研发的有线射频宽带芯片组的拓展。”国家特聘专家、美国麻省理工学院博士王俊峰介绍说，在推出5G微基站射频芯片之前，公司通过研发有线射频宽带HiNOC2.0芯片，拥有了长期的射频芯片技术积累。

据悉，HiNOC2.0是我国下一代有线射频宽带广电接入标准，南京宇都HiNOC2.0射频/基带芯片组可实现600兆每秒的下行速率，完全可与国际巨头的同类产品对标。在中国广播科学研究院进行的标准测试中，搭载这组芯片的设备在85dB的线路衰耗下仍可接入，相比对标的国际巨头同类产品，抗衰减能力提升了10dB左右，这使其更能适应国内复杂、恶劣的网络环境。
据了解，去年4月中国工程院院士倪光南领衔的专家组对的HiiNOC2.0芯片组进行技术鉴定，认定该芯片组在系统性能上达到了国际同类产品的先进水平，而其中射频芯片部分性能优于国际同类产品。
HINOC2.0芯片包括射频芯片、终端基带芯片、局端基带芯片。
其中，YD6901是一款高集成度低功耗的CMOS 射频收发芯片。该芯片符合HINOC2.0的规范，支持700MHz~1.1GHz频段和128MHz信道带宽，集成了频率综合器，发射器和高灵敏度接受器等关键模块。发射器支持高达9dBm的发射功率，无需外接功放即可满足千兆接入要求。
YDS6501/YDS6601 是一款高集成低功耗的高速基带SoC。该芯片符合HINOC2.0 规范，支持128MHz信道带宽和高达4096QAM的调制方式，可轻松实现1Gbps的高速接入。芯片集成了TDMA的调度器、高性能的物理层OFDM收发器、以太网接口等关键模块，并可满足DBA，802.1q等QoS要求。YDS6501/YDS6601与YD6901配合使用，可支持千兆上网，4K高清视频传输和VoIP等全方位通讯业务，给用户带来完美的体验。

YD9601不光覆盖700MHz广电频段，也兼容了工信部2月初刚刚颁发许可的3.3-3.4GHz的电信/联通/广电共享室内频段，可以说是为5G时代室内共享微基站量身定做的芯片。