RRAM是什么？

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RRAM是什么？

RRAM是一种新型电脑存储器，它基于一种新的半导体材料，依赖于温度和电压来存储数据。虽然它被证明比当前技术更快，更节能，但是RRAM的工作原理仍然是一个谜。现在，一个斯坦福团队使用了全新工具来研究RRAM，发现其最佳工作温度范围远低于此前预期，为更高效的内存铺平了道路。

RRAM工作的基本原理：在自然状态下，RRAM材料是绝缘体，阻止电子流动，但是用电场将它们打开，为电子 打开一个路径，让电子流动，这两个状态之间交替可以形成二进制代码的基础：即绝缘状态表示0，而通过电子的状态代表1。
RRAM及其制造的半导体允许芯片堆叠在彼此之上，使得存储器和逻辑组件以不能复制的方式靠近在一起。这些3D“高层”芯片可以解决大数据处理延迟，同时延长未来移动设备的电池寿命，提供更快，更高能效的解决方案。但是RRAM材料需要多少温度才会导致开关目前还是未知因素。由于没有办法测量由电力产生的热量，研究人员使用微热级的热板状装置加热RRAM芯片。通过监测电子何时开始流过RRAM材料，团队能够测量材料形成导电通路所需的温度，并惊喜地发现其最佳工作温度范围在80°F和260°F（26.7和126.7℃）之间，远低于此前估计的1160°F（626.7℃）。因此，未来的RRAM器件将需要更少的电力来产生这些温度，使得它们更节能。
RRAM拥有独特物理与器件特性，可在工艺后端线(BEOL) 以列阵结构制造，其列阵结构的低电压特性能够有效降低MCU产品中嵌入式非易失性存储解决方案的功耗，非常适合物联网应用；此外，根据学术界与行业发表的相关文献，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成为在DRAM和Flash之间一种可行的存储级内存（SCM）。

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