未来可能的新内存类型

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[paragraph]未来可能的新内存类型：
● FeFET或FeRAM：铁电体随机存取存储器，与DRAM类似，可以在读取操作中随机存取每个独立的位。FeFET存储器使用的是铁电材料，可以在两种极化状态之间快速切换。它可以在低功耗下提供高性能，同时还具有非易失性的附加优势，FeFET有望成为新一代闪存器件。Fraunhofer、格罗方德和NaMLab从2009年就开始了FeFET的研发，SK 海力士、Lam等也有相关的研发计划。
● 相变存储器：PCM是另一种高性能、非易失性存储器，基于硫属化合物玻璃。这种化合物有一个很重要的特性，当它们从一相移动到另一相时能够改变它们的电阻。与基于NAND的传统非易失性存储器不同，PCM器件可以实现几乎无限数量的写入。此外，PCM器件的优势还包括：访问响应时间短、字节可寻址、随机读写等，其也是诸多被称为能够“改变未来”的存储技术之一。英特尔、IBM、三星、美光科技和松下都已经开始PCM的布局。
● ReRAM：电阻式随机存取非易失性存储器。ReRAM关闭电源后存储器仍能记住数据。ReRAM可以由许多化合物制成，ReRAM的主要优势在于其可扩展性、CMOS兼容性、低功耗和电导调制效应，这些优点让ReRAM可以轻松扩展到先进工艺节点，能够进行大批量生产和供应。所有这些都使ReRAM成为下一代存储器的主要竞争者。未来将用于人工智能应用程序。Crossbar、东芝、Elpida、索尼、松下、美光、海力士、富士通等厂商都在开展ReRAM的研究和生产。在制造方面，中芯国际(SMIC)、台积电(TSMC)和联电(UMC)都已经将ReRAM纳入自己未来的发展线路图中。
● MRAM：非易失性的磁性随机存储器。以磁性方式存储数据，但使用电子来读取和写入数据。磁性特征提供非易失性，电子读写提供速度。MRAM拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取、写入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。不过，当前的MRAM存储元件也有其明显的产品短板。很多嵌入式系统都必须在高温下运行，而高温往往会损害MRAM的数据保存能力。另外，MRAM的保持力、耐久性和密度也需要得到进一步的提升。对于STT-MRAM的商业产品，Avalanche Technology、Spin Memory和Everspin Technologies都在布局。格罗方德、英特尔和三星等都已经宣布将MRAM列入自己未来的产品计划中。
● 除此以外，还有自旋轨道转矩MRAM(SOT-MRAM)，旨在取代SRAM的下一代MRAM。纳米管RAM，纳米管RAM的研发已有多个年头了，皆在取代DRAM。也有人正在同一器件上开发碳纳米管等下一代存储器。

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